天游线路检测中心 半导体
半导体是导体（导电良好的物质）和绝缘体（导电很少的物质）
在半导体领域，为了降低功耗、提高性能，SiC、GaN等新材料、新结构的晶体管、三维封装等受到关注。准确的分析技术对于这些半导体的稳定制造（产量）和安全使用（可靠性）至关重要，根据用途选择合适的预处理和分析设备也很重要。在本页中，我们将介绍各种分析设备和应用示例。
1。有助于半导体检查和分析的 JEOL 设备
2。 JEOL半导体相关产品及应用
3。 EB：电子束写入装置电子束光刻系统
EB绘图设备是EDA（电子设计
JEOL 用于掩模生产的 EB 光刻设备采用尖端技术，实现了高速、高精度和高可靠性。这是一种基于加速电压为 50 kV 的可变形状（矩形）梁和分步重复阶段方法的绘图装置。
4。 FIB-SEM/TEM：在先进半导体工艺中利用 TEM 长度测量〜TEM-LINKAGE〜
采用“双轴倾斜盒”，有利于与TEM的配合。只需轻轻一按即可将卡盒安装在专用 TEM 支架/FIB 支架中。您将不再需要更换 TEM 网格。
使用 JEM-ACE200F 获得的 FinFET（鳍式场效应晶体管）型晶体管和闪存的 HAADF-STEM 图像
FinFET 晶体管的 TEM 样品制备 (FIB-SEM)
FinFET 晶体管的 SE 和 BSE 图像。可以获得对比度良好的清晰图像，而不会错过处理终点。
薄膜可以精确地瞄准翅片部分。无需更换 TEM 网格即可将样品从 JIB-PS500i 转移到 TEM，从而大大降低了样品损坏的风险。两轴倾斜是可能的，这对于 TEM 观察中的方向对准至关重要。
FinFET 晶体管的结构和成分分析 (TEM)
FinFET 晶体管的 HAADF-STEM 图像和 EDS 图。您可以观察Fin的形状、栅极周围的结构、接触部分的排列以及元素分布。特别是，在高分辨率 HAADF-STEM 图像中，栅极绝缘膜2或 HfO2)和金属栅极的层结构可以清楚地看到。
示例：5 nm FinFET 晶体管加速电压：200 kV
EDS 图（净计数图）
5。 SEM：用于观察/分析半导体器件的SEM功能
高分辨率SEM配备多个上部探测器，可以有效探测样品产生的电子。即使在低入射电压下
抵抗
静态随机存储器
IC 横截面
半导体堆叠芯片的电位对比观察（SEM）（SRAM剥离后）
电位对比度概念图
表面观察样品架SM-71230SOHD
电压对比：VC
6。 AES/CP：半导体多层芯片CP横截面中元素和化学状态分布的可视化
横截面分析通常用于设备故障分析，但需要高空间分辨率分析来分析变得更小、更复杂的设备。AES 可以以高空间分辨率和高能量分辨率分析大块样品，从而轻松执行更详细的故障分析。这里以SRAM和Si和SiO的CMOS区域中的元素分布为例2的分布按化学状态。
SiC功率半导体二极管p-n结的内置电位差分析(AES)
pn使用 AES，可以将 pn 结处的内置电位差评估为峰值偏移量。在这里，我们分析了 SiC 功率半导体的 p-n 结。 p型区和n型区的Si KLL
7。应用说明
YOKOGUSHI（通用半导体）
预处理物理分析
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使用 4D-STEM 和 STEM-EELS 对 FinFET 进行平面图观察
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通过电子断层扫描分析半导体材料
JEOL 新闻第 50 卷第 6 期
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JEM-2500SE：纳米面积分析工具
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使用球面像差校正 TEM (200kV) 进行半导体器件评估
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TFT液晶面板接触塞的截面观察
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TEM 质量控制检查的样品制备
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用于平面和横截面观察的 TEM 样品制备
IB2019-07
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用于高分辨率观察的高质量 TEM 样品制备
IB2019-08
预处理化学分析
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使用两种类型的气相色谱柱对异丙醇中的杂质进行定性和比较分析
MS 提示第 513 号
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使用 msFineAnalysis AI 对半导体溶剂中的杂质进行定性分析
MS 提示 434 号
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使用GC-MS法分析硅晶片表面产生的气体
MS 提示 253 号
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n型半导体（P掺杂型）的ESR测量
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低温测量对于半导体晶圆缺陷评估的重要性
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材料的ESR - 半导体① -
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预处理电气特性
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操纵器的应用：纳米探测和故障分析
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铁磁薄膜和自旋流(3) - 采样示例-
ER190004
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材料的ESR-电检测磁共振①-
ER170007
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材料的ESR-电检测磁共振②-
ER170008
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材料的ESR-电检测磁共振④-
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材料的ESR-电检测磁共振⑤-
ER180002
预处理光刻
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电子束光刻系统JBX-A9的开发
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电子束光刻系统JBX-8100FS的开发
JEOL 新闻第 50 卷第 9 期
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光子晶体激光器
JEOL 新闻第 46 卷第 3 期
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电子束光刻系统JBX-3200MV/JBX-3050MV/JBX-9500FS/JBX-6300FS
后处理物理分析
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