天游线路检测中心 用于高分辨率观察的高质量 TEM 样品制备
IB2019-08
TEM 获得的结果的质量和准确性很大程度上取决于样品的状况，制备样品厚度薄、非晶层少的高质量样品非常重要。我们将介绍一种离子切片机精加工方法，通过对 FIB 制备的 TEM 样品进行 Ar 离子处理，可以生产出非晶层很少的高质量样品。
离子切片机精加工方法
切片机上精加工方法是使用 FIB 制备薄膜样品，然后使用 Ion SlicerTM 使用低能 Ar 离子束进行附加处理的方法。网格支架※选项和支架适配器※选项当 FIB 网格固定在支架上时，您可以在设备之间移动 FIB 网格，从而轻松执行精加工操作。
GaN-LED TEM 样品制备
我们准备了TEM截面样品来观察GaN-LED的多量子阱结构。仅使用 FIB 制备的 LaB 样品和使用离子切片机精加工方法制备的样品6我用电子枪TEM观察了它。FIB制备的样品中量子阱结构的边界不清楚，但用离子切片机加工的样品中可以清楚地观察到边界。此结果表明，离子切片机表面处理可以在制备样品时损坏较少。
用 FIB 制备样品
- 精加工：3 kV (FIB)
- 样品厚度：60 nm以下
使用离子切片机精加工方法制备的样品
- 精加工：5 kV (FIB) + 1 kV (Ar)
- 样品厚度：60 nm以下
