天游线路检测中心高分辨率观察的高质量 TEM 样品制备
IB2019-08
TEM 获得的结果的质量和准确性很大程度上取决于天游线路检测中心的状况，制备天游线路检测中心厚度薄、非晶层少的高质量天游线路检测中心非常重要。我们将介绍一种离子切片机精加工方法，通过对 FIB 制备的 TEM 天游线路检测中心进行 Ar 离子处理，可以生产出非晶层很少的高质量天游线路检测中心。
离子切片机精加工方法
切片机上精加工方法是使用 FIB 制备薄膜天游线路检测中心，然后使用 Ion SlicerTM 使用低能 Ar 离子束进行附加处理的方法。网格支架※选项和支架适配器※选项当 FIB 网格固定在支架上时，您可以在设备之间移动 FIB 网格，从而轻松执行精加工操作。
GaN-LED TEM 天游线路检测中心制备
我们准备了TEM截面天游线路检测中心来观察GaN-LED的多量子阱结构。仅使用 FIB 制备的 LaB 天游线路检测中心和使用离子切片机精加工方法制备的天游线路检测中心6我用电子枪TEM观察了它。在通过FIB制备的天游线路检测中心中，量子阱结构的边界不清楚，但在用离子切片机完成的天游线路检测中心中，可以清楚地观察到边界。此结果表明，离子切片机表面处理可以在制备天游线路检测中心时减少天游线路检测中心损坏。
用 FIB 制备天游线路检测中心
- 精加工：3 kV (FIB)
- 天游线路检测中心厚度：60 nm以下
使用离子切片机精加工方法制备的天游线路检测中心
- 精加工：5 kV (FIB) + 1 kV (Ar)
- 天游线路检测中心厚度：60 nm以下
