这是一款高规格俄歇电子能谱仪，配备静电半球分析仪，可对纳米至微米区域的化学键状态进行高通量分析，以及提供稳定大电流的场发射电子枪，也用于EPMA。配备高精度优心样品台和浮动离子枪，实现了以前认为不可能的绝缘体分析，实现了无论样品如何，从金属样品到绝缘体样品，从成分信息到化学信息的多功能性。
功能
光谱成像
在每个像素中存储频谱
从光谱图像中提取的元素图
现在可以获得在每个像素中存储光谱的光谱图像。与 EDS 图一样，数据采集后可以提取光谱和元素浓度图。传统的绘图方法需要提前指定要测量的元素，但光谱成像可以通过在较宽的能量范围内获取数据来防止元素丢失。此外，可以在任何能量范围和能量分辨率下进行测量，因此不仅可以应用于元素分析，还可以应用于反射EELS分析。
标准光谱数据库和波形分离软件
金属 Sn、SnO、SnO2的标准谱
按化学状态划分的焊料表面深度分布
配备丰富的标准光谱数据库，包含140种500多个标准光谱。使用波形分离软件，只需单击一下即可执行经常困扰分析人员的重叠俄歇峰的分离和复杂化学键状态的分析。
规格/选项
| 电子辐照系统 | |
|---|---|
| 二次电子分辨率 | 3nm（25kV，10pA） |
| 俄歇分析的最小探头直径 | 8nm（25kV，1nA） |
| 电子枪 | 肖特基场致发射型 |
| 加速电压 | 05～30kV |
| 探头电流 | 10-11～2×10-7A |
| 放大倍数 | 25至500,000次 |
| 俄歇电子能谱仪 | |
| 分析器 | 静电半球分析仪 (HSA) |
| 能量分辨率 (ΔE/E) | 0.05％～0.6％ |
| 灵敏度 | 840,000cps（7通道检测器）铜-LMM，10kV，10nA |
外观和规格如有更改，恕不另行通知。
可扩展性
提供端口添加以下功能，因此可以支持多种分析。
停车装置示例
样品冷却断裂装置
背散射电子探测器
能量色散X射线光谱仪（EDS）
转运船
目录下载
申请
半导体器件横截面
使用 FIB 进行盒式加工的半导体器件横截面中 Si 的元素分布和化学状态图。通过光谱成像获得。
AES 分析比 SEM-EDS 和 EPMA 等 X 射线分析方法具有更高的空间分辨率，因此可以在高倍视野中研究元素分布。此外，还可以利用峰形状根据化学键状态而不同的事实来进行按化学状态的映射。
锂离子电池（LIB）材料
Li KVV标准谱（微分形式）
通过光谱成像方法获得，LIB负极CP截面元素分布
AES对Li的检测灵敏度很高，也可用于锂离子电池的分析。在AES中，相邻原子中存在的电子也参与跃迁，因此可以高灵敏度地检测氧化锂和碳酸锂的峰。此外，使用光谱成像可以轻松测量锂分布。
卷分析
碳材料的损耗谱
铜板上形成的石墨烯样品中通过 AES 分析获得的碳分布（左）和通过 REELS 分析获得的石墨分布（右）
俄歇电子能谱仪可用于执行背散射电子能量损失谱 (REELS)。使用 REELS，可以区分石墨和金刚石，并评估绝缘体/半导体的带隙尺寸。
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