天游线路检测中心 使用GC-MS法分析硅晶片表面产生的气体
MS 提示 253 号
摘要
在半导体加工过程中，有机化合物粘附在硅片表面，对产品良率产生负面影响，因此采用GC-MS进行质量控制。这次，我将介绍使用GL Sciences制造的硅晶片分析仪WA2560和JEOL制造的四极杆质谱仪JMS-Q1500GC对产生的气体进行分析。
实验
WA2560 加热装置中的硅晶片，使用收集管冷凝产生的气体，并将其引入 GC-MS。这次，使用空白硅片(直径300mm)作为测定样品，添加相当于各成分100ng的有机化合物混合标准溶液。表 1 显示了每个设备的测量条件。
表1 HS-GC-MS的测量条件
| WA2560 | |
|---|---|
| 腔室温度 | 室温→15分钟→400°C（15分钟） |
| 净化流 | 氦气，270毫升/分钟 |
| 采样流程 | 100毫升/分钟 |
| 疏水管 | 特纳克斯 TA |
| GC | |
| 烤箱温度 | 40℃（5分钟）→10℃/分钟→280℃（21分钟） |
| 专栏 | InertCap-1MS（GL 科学公司）内径60m x 025mm，膜厚025μm |
| MS | |
| 离子源温度。 | 250°C |
| 接口温度。 | 280°C |
| 电离模式 | EI，70eV |
| 电离电流 | 50μA |
| 测量模式 | 扫描 (m/z35～450) |
* Tenax 是 BUCHEMBV 的注册商标
结果
测定结果的TIC色谱图如图1所示。可以确认添加成分的峰。
图1。 TIC 色谱图
- 点击此处查看此页面的可打印 PDF。点击打开新窗口。
PDF 4175KB
