新的标本制备溶液
JIB-PS500i 提供三种解决方案来协助 TEM 样品制备。从样品制备到 TEM 观察，您可以使用可靠的高通量工作流程。
功能
TEM-LINKAGE
两轴倾斜墨盒※和 TEM 支架※促进 TEM ⇔ FIB 链接。
只需轻轻一按即可将卡盒安装到专用 TEM 样品架上。
●两轴倾斜卡盘※
●OmniProbe 400※
牛津仪器公司的 OmniProbe 400※，您可以准确、快速地接取工作。另外，JIB-PS500i 的软件是 OmniProbe 400※的操作
样品：5 nm 设计规则半导体器件 (FinFET)
观察条件：（左）加速电压2 kV，探测器SED二次电子图像，（中、右）加速电压200 kV，TEM图像，拍摄JEM-ARM200F
检查并出发
为了可靠地制备 TEM 样品，能够现场检查制备的样品非常重要。JIB-PS500i 可让您从 TEM 样品制备无缝过渡到 STEM 观察。通过重复薄片加工和STEM观察，可以制备令人满意的样品。
样品：SiC功率半导体器件观察条件：加速电压30 kV，
探测器（左上）STEM-BF，（右上）STEM-DF，（左下）SED二次电子图像，（右下）EDS图紫色：Al黄色：Ti橙色：P浅蓝色：O绿色：Si
自动准备
自动 TEM 样品制备系统 STEMPLING2※自动化 TEM 样品制备。
由于样品制备是自动进行的，因此不会因操作员技能而导致质量变化。
样品：镀铜
（上排）自动制备样品块，（下排）通过自动处理对样品块进行薄切片
观察条件：加速电压30 kV，探测器SED（SIM图像）
高分辨率和高对比度 SEM 成像不再犹豫，不再错过加工终点，高质量SEM图像
信号检测系统
提供多种检测器，包括标准 SED、UED 和 iBED。
通过根据应用选择最佳检测器，可以有效观察各种样品。
高分辨率 SEM 成像
通过在SEM镜筒中安装新开发的超圆锥透镜系统，低加速电压下的观察性能得到了极大的提高。
作为检查薄片加工终点的SEM，可以获得对比度良好的清晰图像，使加工终点不会被忽视。
FIB 制备的横截面的 SEM 成像
超紧凑、薄型可伸缩背散射电子探测器RBED※即使载物台倾斜也可使用。不仅可以观察样品表面，还可以使用二次电子检测器 SED 和上部检测器 UED 等各种检测器来观察需要倾斜观察的 FIB 截面，从而实现最佳的 SEM 观察。
示例：3D NANO 闪存器件的 FIB 横截面观察条件：加速电压2 kV，探测器（左）SED二次电子像，（中）RBED背散射电子像，（右）UED背散射电子像
EDS 集成软件*
EDS分析功能已纳入主机控制软件中。
无需切换软件即可进行样品元素分析。 （EDS，日本电子株式会社制造）※仅在装备后可用。 )
高功率和高质量 FIB 处理更强大的 FIB 处理，实现最佳样品制备
大面积、快速 FIB 处理
它使用FIB柱，可以以最大电流100 nA照射Ga离子束。
高电流处理对于制备大面积观察和分析所需的样品特别有效。
示例：半导体器件观察条件：加速电压3 kV，探测器SED二次电子像200×4×15μm样品块。 OmniProbe400※取出样本块
通过低电压处理去除损伤层
FIB柱的布置比传统型号的工作距离更短，新开发的电源提高了低加速范围内的性能。
与新的控制系统相结合，可以高精度地执行薄膜生产中重要的低加速度精加工。
新房间和舞台设计高度倾斜的大舞台，自由度高，满足各种要求
装载大样本
采用大型样品室和新开发的5轴全同心大型电机平台，以增加运动范围并容纳大型样品。可以对130mm φ样品的整个表面进行加工和观察。此外，可以运输最大高度为 80 毫米的标本。
放置在样品室中的 150 毫米硅晶片。
AVERT 引擎使用 3D 模型确定移动限制
使用样品架、载物台和腔室结构的 3D 模型来确定移动限制。
样品可以在任何情况下使用，而不会干扰检测器或物镜。让您无需一边看着样品室摄像头一边操作。
为了可靠地制备 TEM 样品，能够现场检查制备的样品非常重要。JIB-PS500i 可让您从 TEM 样品制备无缝过渡到 STEM 观察。通过重复薄片加工和STEM观察，可以制备令人满意的样品。
* 为可选
规格/选项
扫描电镜
| 图像分辨率 | 07 nm (15 kV)14 nm (1 kV)10 nm（1 kV，BD 模式） |
|---|---|
| 放大倍数 | ×50 ~ ×1,000,000（STD 模式）×1,000 ~ ×1,000,000（UHR模式）×10 ~ ×19,000（LDF模式）（显示 128 毫米 × 96 毫米照片尺寸时） |
| 入射电压 | 001 ~30 kV |
| 束流 | 大约 1 pA 到超过 500 nA |
| 偏置电压示例 | 00 ~- 50 kV |
| 电子枪 | 镜头内肖特基 Plus场发射电子枪 |
| 孔径角优化镜头(ACL) | 内置 |
| 物镜 | 超圆锥透镜 |
| 长焦距（LDF）模式 | 内置 |
| 标准探测器 | 二次电子探测器（SED），上电子探测器（UED），镜头内背散射电子探测器 (iBED) |
FIB
| 图像分辨率 | 3 nm（30 kV 时） |
|---|---|
| 放大倍数 | ×50 〜 ×300,000(受加速电压限制) |
| 加速电压 | 05 ~30 kV |
| 束流 | 10 pA ~100 nA,13 步切换 (30 kV) |
| 可移动光圈 | 16级电机驱动切换（3级空闲） |
| 离子源 | Ga液态金属离子源 |
| 加工形状 | 矩形、圆、多边形、点、线、位图形状 |
样品阶段
| 方法 | 全中心测角仪阶段 |
|---|---|
| 控制 | 电脑控制5轴电机驱动3D 干扰检测 AVERT 引擎 |
| 移动范围示例 | X：130毫米 |
| Y：130 毫米 | |
| Z: 10 毫米 ~ 40 毫米 | |
| 温度：-400 ~930° | |
| R:3600°无尽 |
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