[已售完] JSM-IT800肖特基场发射扫描电子显微镜|产品信息|日本日本株式会社

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JSM-IT800使用与“镜头内肖特基Plus场发射电子枪”相同的平台来实现高分辨率观察，下一代电子光学控制系统“Neo Engine”，以及将我们自己的EDS融入易于使用的GUI“SEM Center”中的系统，以实现高速元素映射。

通过将SEM物镜替换为模块，我们提供满足客户各种需求的设备。
JSM-IT800 有配备不同物镜的五个版本：混合镜头版本 (HL)，这是一种通用 FE-SEM；超级混合镜头版本（SHL/SHL，具有不同功能的 2 个版本）可实现更高分辨率的观察和分析；以及半镜头版本（I/IS，具有不同功能的 2 个版本），擅长半导体样品观察。

此外，JSM-IT800还可配备新型背散射电子探测器，闪烁体背散射电子探测器(SBED)和多用途背散射电子探测器(VBED)。 SBED 可以采集具有良好响应和低加速电压的材料对比图像。 VBED 可以获得 3D、不均匀性和材料对比度图像，因此您可以期望获得以前无法获得的信息并改善测量问题。

功能

透镜内肖特基 Plus 场发射电子枪 (FEG)

通过结合电子枪和低像差聚光透镜实现了高亮度。即使在低加速电压（100nA@5kV）下也能获得足够的照射电流，使您无需更换物镜即可执行从高分辨率观察到高速元素映射、EBSD 分析和软 X 射线分析的所有操作。

Neo 引擎（新型电子光学引擎）

配备新一代电光控制系统，汇集了 JEOL 电光技术的精华。
即使条件发生变化，也可以进行稳定的观察。我们还在可用性方面取得了重大改进，包括自动功能。

AFS·ACB

自动之前
样品：碳上的锡纳米颗粒
入射电压：15 kV，工作距离：2 mm，观察模式：BD，探测器：UED，放大倍数：x200,000

自动之后

SEM 中心/EDS 集成

操作GUI“SEM中心”和EDS分析完全集成，实现下一代可操作性。它还配备了Smile Navi（可选），可帮助初学者如何操作SEM，以及LIVE-AI（人工智能）滤镜（Live Image Visual Enhancer-AI：LIVE-AI）（可选），使实时图像更易于查看。

SMILE VIEW™ 实验室

SMILE VIEW™ Lab 可让您集中管理获取的数据，让您快速轻松地为从观察到分析的所有数据创建报告。

微笑导航

这是一个辅助工具，即使是第一次使用该设备或对其使用有疑虑的人也可以轻松执行基本操作。
按照说明操作，然后单击 Smile Navi 中的图标链接 SEM 操作屏幕。由于必要的操作程序和按钮位置都显示在SEM操作屏幕上，因此您将来可以在没有Smile Navi的情况下学习操作。
（此功能是可选的。）

新功能LIVE-AI滤镜（Live Image Visual Enhancer-AI）

配备新开发的LIVE-AI（人工智能）滤镜，使实时图像更容易查看。与积分处理不同，它可以显示具有良好跟随性的实时图像，没有残像，使其成为寻找视野、调整焦点和像散的极其有效的滤镜。
（此功能是可选的。）

实时图像比较

样品：蚂蚁外骨骼，入射电压：05kV，探测器：SED

样品：铁锈，入射电压：1kV，探测器：SED

混合镜头版本（HL，HL；混合镜头）/超级混合镜头版本（SHL，SHL；超级混合镜头）/半入式镜头版本

JSM-IT800 系列允许您根据用途选择物镜。
HL版本和SHL版本（包括SHLs版本）配备了由高度通用的out镜头开发的电磁场叠加型物镜。
可以对从钢铁材料到纳米材料的各种样品进行高分辨率观察和分析。对于磁性材料的观察和EBSD测量等分析特别有效。
i版和is版配备半入式镜头。我们擅长对倾斜样品和截面样品进行高分辨率观察和分析，这是半导体器件失效分析所必需的。
此外，它还展示了其使用上部镜头内检测器 (UID) 进行电位对比度观察的能力。

出镜类型

电磁场叠加型

半内嵌镜片类型

高度通用

设备：JSM-IT700HR

兼具多功能性和高分辨率

设备：JSM-IT800HL/SHL

追求高分辨率

设备：JSM-IT800i/is

上部混合探测器 (UHD)

SHL版本物镜中安装的新型UHD探测器大大提高了样品产生的电子的检测效率，从而实现高信噪比图像采集。

UHD（上部混合探测器）

使用 SHL 的观察示例

样品：氧化铝颗粒

入射电压：05 kV，观察模式：BD，探测器：UHD
您可以在样品表面观察到数纳米的精细台阶结构。

使用 SHL 版本拍摄

入射电压：03 kV，观察模式：BD，探测器：UHD
您可以清晰地观察薄片状样品的表面结构。 *使用SHL版本拍摄

样品：铝勃姆石

入射电压：02 kV，观察模式：BD，探测器：UHD+UED（相加模式）
样本提供者：Hiroyuki Yano，京都大学可持续人类圈研究所教授
甚至可以观察有机纤维，而不会被电子束损坏。 *使用SHL版本拍摄

样品：纤维素纳米纤维 (CNF)

样品：IC芯片横截面（表面蚀刻）

入射电压：50 kV（无样品偏压），观察模式：SHL，探测器：UHD、UED（背散射电子模式） UHD 可以观察二次电子图像，UED 可以观察背散射电子图像。

使用 HL 的观察示例

注入电压：20 kV，WD：2 mm，观察模式：BD，检测器：UED

样品：碳上的 Pt 纳米粒子

注入电压：1 kV，WD：3 mm，观察模式：STD，检测器：SED

样品：沸石

注入电压：05 kV，WD：2 mm，观察模式：BD，检测器：UED

样品：密封胶带

注入电压：10 kV，WD：6 mm，观察模式：LV，检测器：LVBED

示例：灯泡引入线

使用 i 的观察示例
光触媒颗粒二次电子图像

使用 JSM-IT800 (i) UED 探测器拍摄的照片
样本由东京大学特聘教授 Kazunari Domen 提供

水电解量子效率接近1的光催化剂。高分辨率二次电子图像显示，10 nm以下的产氢助催化剂颗粒选择性地附着在立方体颗粒的100

参考文献
T。高田等。等人，“光催化水分解的量子效率几乎为一，”自然 , 581, 411-414, 2020.

半导体器件（SRAM）内部构图图像/电位对比度图像/不均匀图像

观察条件：入射电压：1 kV，WD：8 mm，观察模式：SIL，探测器：UED、UID、SED 3种信号同时采集

观察条件：入射电压5 kV，WD：45 mm，观察模式：LV（50 Pa），检测器：LVBED 可以在不受充电影响的情况下观察纳米尺寸的孔。

无绝缘体沉积的观察
样品：铝阳极氧化涂层表面

观察条件：入射电压10 kV，WD：45 mm，观察模式：LV（50 Pa），检测器：LVBED 液体密封在特殊支架中，通过氮化硅观察窗观察。
可以检查样品在液体中的分散状态。（使用 FlowVIEW In-situ 支架）

液体中样品的原位观察
样品：分散在水中的 CeO2

参考文献
N。浅野等。等人，“使用扫描电子显微镜直接观察水热合成纳米晶体和纳米团簇的技术。”纳米材料, 11, 908, 2021

新型背散射电子探测器

两种新型背散射电子探测器（可选）——闪烁体背散射电子探测器（SBED），具有优异的响应能力，有利于在低加速电压下获取材料对比度图像。由于分割的检测元件形状，多用途背散射电子探测器（VBED）可以获得独特的图像，例如3D图像和不均匀图像。

SBED（闪烁体背散射电子探测器）图像
与半导体器件相比，使用闪烁体作为检测器提高了检测灵敏度和响应。

样品：小鼠肾脏超薄切片（对比度反转）
入射电压：50kV，扫描速度004微秒/像素
获取尺寸为 5,120 × 3,840 像素。

样品：墨粉，入射电压：15kV

样品：钢板（位错观察），入射电压：25kV

VBED（多功能背散射电子探测器）图像
5分割半导体检测元件允许根据观察目的对信号进行分类。

角度选择

样品：荧光粉，入射电压：30kV

三维重建

样品：CCD元件片上微透镜，入射电压：70kV
您可以使用从 4 个方向获取的 2D 图像重建 3D 图像。

特殊样品持有者信息

特殊样品架

规格/选项

规格

	HL 版本	是版本	i 版本	SHL 版本	SHL 版本
分辨率	07nm (20kV)	06nm (15kV)	05nm (15kV)	06nm (15kV)	05nm (15kV)
	13nm (1kV)	10nm (1kV)	07nm (1kV)	11nm (1kV)	07nm (1kV)
					09nm（500V）
	30nm（15kV，5nA，工作距离10mm）	30nm（15kV，5nA，工作距离8mm）	30nm（15kV，5nA，工作距离8mm）	30nm（15kV，5nA，工作距离10mm）	30nm（5kV，5nA，工作距离10mm）
放大倍数	照片放大 ×10 ～ 2,000,000 （以 128 × 96 毫米显示时）显示放大倍数 × 27 ～ 5,480,000 （1,280 × 960 像素显示）	照片放大 ×25 ～ 2,000,000 （以 128 × 96 毫米显示时）显示放大倍数 × 69 ～ 5,480,000 （1,280 × 960 像素显示）	照片放大 ×25 ～ 2,000,000 （以 128 × 96 毫米显示时）显示放大倍数 × 69 ～ 5,480,000 （1,280 × 960 像素显示）	照片放大 ×10 ～ 2,000,000 （128 × 96 毫米显示屏）显示放大倍数 × 27 ～ 5,480,000 （1,280 × 960 像素显示）	照片放大 ×10 ～ 2,000,000 （以 128 × 96 毫米显示时）显示放大倍数 × 27 ～ 5,480,000 （1,280 × 960 像素显示）
入射电压	001 至 30 kV
探测电流	数量 pA ~300 nA (30 kV) 数量 pA ~100 nA (5 kV)	数量 pA ~300 nA (30 kV) 数量 pA ~100 nA (5 kV)	数量 pA ~500 nA (30 kV) 数量 pA ~100 nA (5 kV)	数量 pA ~500 nA (30 kV) 数量 pA ~100 nA (5 kV)	数量 pA ~500 nA (30 kV) 数量 pA ~100 nA (5 kV)
标准探测器	二次电子探测器（SED）上电子探测器（UED）	二次电子探测器（SED）上部镜头内检测器 (UID)	二次电子探测器（SED）上部镜头内检测器 (UID) 上电子探测器（UED）	二次电子探测器（SED）上部混合探测器 (UHD)	二次电子探测器（SED）上部混合探测器 (UHD)
电子枪	透镜内肖特基+场发射电子枪
发射器保修期	3 年
打开角度优化镜头（ACL）	内置	内置	内置	内置	内置
物镜	混合镜头	半入式镜头	半入式镜头	超级混合镜头	超级混合镜头
样品台	全中心测角台	全正心测角台	全中心测角台	全正心测角台	全中心测角台
电机控制	5轴电机控制	5轴电机控制	5轴电机控制	5轴电机控制	5轴电机控制
样本大小	样品台类型1（最大直径：170毫米最大高度：45毫米（WD 5毫米））载物台移动范围（X：70mm Y：50mm Z：1~41mm 倾斜：-5~70° 旋转：360°）样品台类型2（最大直径：200毫米最大高度：55毫米（WD 5毫米））载物台移动范围（X:100mm Y:100mm Z:1~50mm 倾斜：-5~70° 旋转：360°）※ 样品台类型3（标准最大直径：200mm 最大高度：45 mm（WD 5 mm））载物台移动范围（X：140mm Y：80mm Z：1~41mm 倾斜：-5~70° 旋转：360°）※ 选项
低真空模式（可选）	可能
分析功能（可选）	EDS WDS EBSD CL	EDS WDS EBSD CL	EDS WDS EBSD CL	EDS WDS EBSD CL	EDS WDS EBSD CL
主要用途（示例）	磁性材料，广域EBSD	半导体器件分析		磁性材料、EBSD、生物学（阵列断层扫描、CLEM）