JSM-IT800肖特基场发射扫描电子显微镜

JSM-IT800标配内部能量色散X射线光谱仪（EDS），并与新开发的操作GUI“SEM Center”完全集成，更容易从观察到元素分析不间断地获取数据。
通过不断发展并结合高性能和易用性，我们的工作效率提高了 50% 以上，并在日常测量中实现了高吞吐量。

功能1

功能 1
混合镜头版本 (HL)/
超级混合镜头版本 (SHL)

我们有基于电磁场叠加型物镜的两种类型的物镜，并提供两种类型的设备来满足客户的各种需求。这使得以高空间分辨率观察和分析从磁性材料到绝缘体的各种样品成为可能。

功能2

功能 2
JSM-IT800<SHL>检测系统

样品：IC芯片横截面（表面蚀刻、锇涂层）、入射电压：50 kV（无样品偏压）、观察模式：SHL、探测器：UHD、UED（背散射电子模式）
您可以使用 UHD 观察二次电子图像，使用 UED 观察背散射电子图像。

样品：纤维素纳米纤维（CNF），入射电压：02 kV，观察模式：BD，检测器：UHD+UED（添加模式）
样本提供者：Hiroyuki Yano，京都大学可持续人类圈研究所教授
甚至可以观察有机纤维，而不会被电子束损坏。

功能3

功能 3
新型背散射电子探测器

除了BED（常规背散射电子探测器）外，还可以安装SBED（闪烁体背散射电子探测器）和VBED（多用途背散射电子探测器）。

SBED（闪烁体背散射电子探测器）

与半导体器件相比，使用闪烁体作为检测器可以提高响应能力和检测灵敏度。

  • 样品：小鼠肾脏超薄切片（对比度反转）
    入射电压：50 kV，扫描速度：004 μsec/像素
    获取尺寸为 5120 × 3840 像素。

    通过高速扫描观察生物切片

  • 样品：碳粉
    注入电压：15 kV

    在低入射电压下观察构图图像

  • 样品：钢板（观察位错）
    注入电压：25 kV

    在高入射电压下观察位错图像

VBED（多用途背散射电子探测器）

5分割半导体检测元件允许根据观察目的对信号进行排序。

角度选择

  • 样品：荧光粉，入射电压：30 kV

根据背散射电子的捕获角度，在内部元件中强调成分信息，在外部元件中强调不均匀性信息。
此外，通过使用内部元件，我们可以明亮地观察到比铝沉积膜更深的荧光体。

您可以使用从 4 个方向获取的 2D 图像重建 3D 图像。

高空间分辨率 EDS 图

即使是几十纳米的微小银纳米粒子也可以通过元素图可视化。

2模式样本交换方法

抽出式适合大量样品交换

两者的光学图像采集
支持兑换方式

样品交换室，可实现快速、干净的样品装载和卸载