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天游线路检测中心 具有 EDM 同步功能的可编程 STEM

具有 EDM 同步功能的可编程 STEM

控制每个像素的剂量。

静电剂量调制器 (EDM) 是一种快速光束消隐系统,带有预采样静电偏转器,包括电子设备和软件控制。 EDM 还可以减弱电子照明而不影响成像条件,使 TEM 和 STEM 用户能够更好地控制样品的剂量。

可选同步升级将 EDM 的定时和同步功能提升到一个新的水平。 Synchrony 可以与 STEM 控制器协调,在扫描样品时跟踪探测光束的位置。 EDM 快如闪电的静电消隐可在每个像素处将光束打开指定时间,或保持光束消隐以完全排除剂量敏感区域。

功能

同步功能

  • 具有任意图案的每个 STEM 像素的可编程剂量

  • 相邻像素之间出色的剂量对比度

  • 排除任何形状的感兴趣区域的剂量

  • 预览剂量模式并与样本结构对齐

  • 自动化友好的工作流程

  • 同步到其他配件

规格/选项

同步功能

参数 可用设置 最小 最大
像素停留时间 分辨率 10 纳秒 2微秒 167 毫秒
STEM 分辨率 由 STEM 控制器设置 1 x 1 像素 4,096 x 4,096 像素
灰度级 以 10 ns 为单位调整剂量时间
增量
190
(最短停留时间)
4,096
(停留时间 > 41 μs)
STEM 控制器 JEOL AIP(对于其他 STEM 控制器,请咨询 info@ides-inccom)
控制接口 软件 GUI、REST 自动化服务器

样本特征的目标剂量

用户友好的 Synchrony Dose Painter 软件可以为每个样本定制剂量模式。
左:用户绘制与样本预览图像重叠的自定义剂量模式(绿色)。同步指的是此模式来对样本应用剂量,类似于上面的示例。右:应用用户同步剂量模式的 STEM 测量。图片由英国罗莎琳德·富兰克林研究所提供。

适用机型:

图库

任意剂量模式

此数据显示了具有 EDM 同步功能的可编程 STEM 实现的精细控制。
(左)具有各种高分辨率功能的用户定义测试模式。每个像素中的灰度级告诉同步曝光多长时间。在使用 JEOL GRAND ARM™2 TEM 扫描金纳米颗粒期间使用了该测试图案,从而产生了调制的明场图像(右)。
纳米颗粒清晰可见,徽标图形、测试图案以及调制图像中的 TEM 照片也清晰可见。
图片由英国罗莎琳德·富兰克林研究所提供。

剂量绘画

带有乳胶球的光栅复制品的环形暗场测量*,

“神奈川巨浪”曝光遮罩。

 

剂量绘画通过将静电曝光阻断器与 STEM 扫描同步来创建精确的曝光图案。在这里,我们通过 Katsushika Hokusai 的浮世绘“神奈川巨浪”在 JEM-ARM200F 中使用 200 keV 电子束在光栅复制品样本上演示了这种功能。从原始图像与 Dose Painting 编写的环形暗场图像的比较中可以看出,每个像素的灰度变化和精细结构细节都得到了忠实的再现。
使用 Dose Painter 软件将该图案应用到 TEM 中,该软件是 IDES, Inc 静电剂量调制器 (EDM) 同步系统的一部分。首先,使用免费开源光栅图形编辑器 GIMP 将“神奈川巨浪”的彩色图像转换为 TIFF 格式的 1,024 × 1,024 像素灰度曝光掩模。接下来,Dose Painter 将掩模合成为脉冲序列。 EDM Synchrony 引导静电消隐器控制 STEM 扫描每个像素的曝光时间。每个像素的停留时间为 385 μs,光栅复制品表面的曝光面积约为 66 μm × 66 μm。
此过程可以在任何配备 IDES EDM Synchrony 的 TEM 上执行。该测量是使用 Gatan 的 Digital Micrograph 3 和 DigiScan 3 进行的。还支持 JEOL TEM Center 和 FEMTUS™。

*数据由巴塞罗那大学科学技术中心 (CCiTUB) 的 Lluis Lopez Conesa 博士提供。

真实区域 STEM 成像,减少光束损伤

采用静电剂量调制器 (EDM) 同步的真实面积 STEM (TAS) 成像技术*1可以减少 STEM 成像期间的样本损坏。 EDM Synchrony 与 JEOL STEM 系统集成,形成完整的反激式消隐解决方案。扫描系统有一个不可用的预扫描区域,其中磁线圈的响应在时间上是非线性的,并且无法采集数据。在此预扫描区域可能会发生不必要的电子辐射损坏。

数据*2以上是使用丽贝克石(矿物)中的滑石粉样品获得的 STEM 图像阵列*3,扫描50次。顶行显示未使用 TAS 采集的图像,而底行显示在 TAS 模式下采集的图像。在顶行中,由于预扫描区域(就在视场之外)中的电子束造成的损坏,在视场的左边缘观察到明显的电子束损坏。相比之下,在 TAS 模式的底行中,没有观察到回扫照射造成的损坏。

  • 1真实区域扫描模式可与 EDM 同步一起使用。如果 TEM 控制系统是 FEMTUSTM-MDP,EDM Basic 和 EDM Synchrony 都可以提供 TAS 模式。

  • 2测量条件:仪器JEM-ARM300F2,加速电压300 kV,电子束电流5皮安,停留时间16微秒,像素数512×512。

  • 3青石棉中页硅酸盐(滑石)和角闪石(利贝克石)之间的界限。

真实面扫描 (TAS) EDS 测量,减少光束损伤

 

TAS 使用快速电子束消隐器在扫描回扫期间关闭电子束,在此期间不会收集任何数据。在这里,我们比较了使用和不使用 TAS 的电子探针扫描。在没有 TAS 的传统扫描中,不必要地将大剂量施加到回扫区域,导致电子束损坏样品,特别是在 EDS 等长时间分析中。相比之下,使用 TAS 扫描可以防止不必要的剂量,尤其是在反激区域,从而显着减少对样本的损坏。因此,可以获得稳定的数据,同时最大限度地降低分析过程中样本损坏的风险。

ADF 图像
样品:SrTiO3 Acc电压:300 kV 探头电流:215 pA
 

显示了通过原子分辨率 EDS 映射(600 帧)获得的比较结果。在传统扫描中,长时间 EDS 分析期间会出现显着且高度不均匀的样本损坏,如 STEM 图像和 Sr Lα 计数下降所示。相比之下,当应用TAS时,损伤大大减少,并且即使在600次扫描后图像仍然保持均匀且基本没有变化。此外,即使在非常高的剂量后,Sr Lα 计数也仅略有下降,从而实现更准确和可靠的分析。

使用 EDM 同步减少 STEM 损伤

静电剂量调制器 (EDM) 同步的剂量绘制功能允许调整每个像素的电子剂量。在这里,我们展示了一个示例,说明同步如何通过以亚原子精度控制照射区域来减少原子分辨率 STEM 期间的电子束损伤。在 SrTiO 的原子分辨率扫描中3,我们只照亮高对比度 Sr 原子柱附近的区域,使我们能够跟踪晶格,同时避免暴露真空区域和其他原子柱。
这大大减少了每次扫描的损坏,从而可以在较长时间内进行定量分析。下面我们展示了即使连续扫描 10 分钟后,X 射线强度的损失也可以忽略不计。对于熟悉编码的高级用户,Synchrony 的自动化界面可让您为您的示例自定义此方法,

 

Dose Painting 设置的掩模图案

正常扫描

带真实区域扫描

w/真实区域扫描 + 掩模

 

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使用掩模进行高死区时间(重元素)区域的 EDS 映射

如果通过 EDS 测绘研究的样本包含重元素区域,这些区域会产生许多 X 射线。这会增加死区时间,因为 X 射线堆积的速度比探测器分离它们的速度快。在极端情况下,即使样本的其余部分被准确绘制,EDS 图也可能在这些区域几乎没有显示任何 X 射线。
通过使用 EDM 同步的剂量绘制,用户可以定义任意“掩模”,自由且独立地控制每个像素中的电子束电流。这使您可以减少重元素区域中的电流,减少堆积并允许在单次扫描中从轻元素和重元素区域进行 EDS 采集。

图 1显示使用 1 nA 束流对半导体样本中的钨 (W) 分布进行 EDS (FEMTUS™) 绘图的结果。一些区域出乎意料地暗,这表明由于堆积造成的计数损失而无法检测到 X 射线。我们能够使用剂量绘画 EDS 映射来解决这个问题。
首先,我们获取了相同视场的 HAADF 图像。该图像中的对比度反映了组成元素的原子量(Z 对比度)。然后反转图像的灰度并调整其亮度以创建“掩模”,其中重元素区域较暗(低照射电流)而轻元素区域较亮(高照射电流)(图。 2)。使用该面罩,我们进行了剂量绘制 EDS。结果,包含 W 的区域可以被正确映射(净计数映射)(图。 3).

图。 1 半导体

图。 1W净计数图

图。 2

图。 2通过对比度反转的 ADF 图像进行掩模

图。 3

图。 3使用图 2 中的掩模通过 Dose Painting 绘制的 W 净计数图

注意:剂量绘制是 EDM 同步的一个功能。由于EDS分析系统本身无法识别各坐标位置的照射电流,因此目前不兼容使用 z - 因子法进行定量分析。

使用 EDM 进行时间分辨 DPC 成像

实验设置

静电剂量调制器 (EDM) 使 TEM 的频闪测量变得简单12安装在 Hummingbird Scientific 偏压样品架的芯片上。期间每

通过改变曝光脉冲的延迟时间,可以在不同的温度下测量样品TM微型或其他在样本中产生可重复动态的系统。

来自 SiC MOS 电容器的 tr-DPC 测量的选定图像。通过光束在每个探头位置的偏转来观察样品中的场。图像顶行中的强度显示了该偏转的幅度,颜色指示了方向。这些的分歧表示电荷密度,并由采集软件自动计算(图像的底行)。场集中在 SiC(左)和 Al(右)之间的氧化物界面处。在 t = 15 μs 时,偏置电压穿过零伏,并且磁场改变极性。

1。测量条件:仪器JEM-F200,加速电压200 kV,STEM Lorenz模式,停留时间50微秒,像素数512×512。简化了实验设置图。有关详细配置信息,请咨询当地的 JEOL 销售办事处。

2。样品是由 Al、SiO 制成的 MOS 电容器2,以及n型SiC,200 nm厚,由富士电机有限公司提供

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