“NEOARM”标配了采用我们专有技术开发的冷阴极场发射电子枪(Cold-FEG)和可以校正高阶像差的新型球面像差校正器(ASCOR),不仅可以在200 kV的高加速电压下,而且可以在30 kV的低加速电压下进行原子分辨率的观察。我们还开发了独特的像差校正算法,并配备了自动执行快速准确的像差校正的系统。这提供了高通量原子分辨率观测。此外,它配备了新型STEM探测器,无论加速电压如何,都可以获得轻元素的高对比度。这使得新的STEM成像方法(e-ABF方法)能够提高轻元素的对比度,从而更容易观察含有轻元素的材料的清晰对比度。为了满足如今已成为主流的遥控需求,我们将主体和控制台分离,并采用了纯白色和JEOL银的新概念颜色,从而使外形设计更加精致。
功能
功能 1
球差校正装置ASCOR(高级STEM校正器)
安装在“NEOARM”中的ASCOR可以校正高阶像差(六倍像散),这是传统校正设备中限制分辨率的主要因素。
ASCOR 和 Cold-FEG 的结合可在从高加速电压到低加速电压的宽加速电压范围内实现高原子分辨率。
GaN [211]:200 kV
硅[110]:80kV
石墨烯(单层):30 kV
UHR 配置的 STEM 图像
200kV、80kV 和 30kV 下的原子分辨率 STEM-ADF 图像和 FFT 图案,以及 Ronchigram 图像。
功能 2
自动像差校正软件JEOL COSMO™(校正系统模块)
JEOL COSMO™采用新的像差算法(SRAM:分段Ronchigram自动校正函数矩阵),无需更换像差校正标准样品,即可高精度且快速地校正高阶像差。
与一般的校正算法相比,可以进行高速处理,并且操作是自动化的,因此您可以实现高通量、高分辨率的观察和各种元素分析,而不会使您的工作流程复杂化。
样品:Si[110]
加速电压:200kV
功能 3
新型 ABF(环形明场)探测器系统
ABF 探测器作为轻元素高分辨率观测的有效方法正在得到广泛应用。
“NEOARM”现在支持 ABF,这是一种新的 ABF 成像方法(e-ABF:增强型 ABF),可进一步提高轻元素的对比度。这使得在原子水平上观察含有轻元素的材料结构变得更加容易。
提高光元素位置的对比度。
参考:SD Findlay、YKohno、LA Cardamone、YIkuhara、NShibata,超显微术 136(2014)31-41
功能 4
完美的视觉探测器
完美视觉探测器是一种混合探测器,使用由不同材料制成的闪烁体。
“NEOARM”配备了该探测器,无论加速电压如何,都可以始终获得高对比度和定量的STEM图像。
功能 5
OBF系统(可选)*
OBF STEM(最佳明场 STEM)是一种新的成像方法,它使用分体式 STEM 探测器获得的每个分段图像作为相位图像重建的源数据,并使用专用傅立叶滤波器最大化图像信噪比。对于重元素和轻元素,以极低的电子剂量实现高对比度。
可以轻松分析对电子束敏感的材料,而这些材料很难使用标准环形暗场和环形明场 STEM 方法进行观察,同时保持高对比度和宽范围的放大倍率。
K。 Ooe, T Seki 等人,超显微术220, 113133 (2021)
STEM 低剂量成像
对于电子束敏感的材料,例如沸石和金属有机框架(MOF),需要以高对比度观察轻元素,同时保持较低的照射电子剂量(通常探针电流小于10 pA)。
OBF STEM 对于如此低电子剂量的实验非常有效,并且能够在低剂量条件下以原子分辨率水平进行 STEM 观察。
MOF MIL-101(左)和 MFI 沸石(右)的 OBF STEM 图像均通过单次拍摄获得,并且在右侧所示的 FFT 图案上证实了 1 Å 的高空间分辨率。此外,堆叠图像平均(左插图)证实分辨率和对比度都非常高。
样品:MOF MIL-101
设备:JEM-ARM300F2
加速电压:300 kV
会聚半角:7 mrad
探头电流:< 015 pA
插图)50 帧平均值
样本提供:广西大学赵振霞教授
样品:MFI 沸石
设备:JEM-ARM300F2
加速电压:300 kV
会聚半角:16 mrad
探头电流:05 pA
插图)FFT 模式
轻元素的高对比度成像
OBF STEM方法也非常适合观察轻元素。即使在低加速电压下观察,也可以实现高对比度和空间分辨率。
结合OBF的高剂量效率,可以大大减少对样品的损害。
样品:GaN [110]
设备:JEM-ARM200F
加速电压:60 kV
会聚半角:35 mrad
样品:石墨烯
设备:JEM-ARM200F
加速电压:60 kV
会聚半角:35 mrad
在高加速电压下观察时可以实现更高的空间分辨率。
实现亚埃 STEM 图像观察,同时保持高对比度。
样品:β-Si3N4 [0001]
设备:JEM-ARM200F
加速电压:200kV
会聚半角:24 mrad
插图)10 帧平均值
样品:GaN [211]
设备:JEM-ARM300F2
加速电压:300 kV
会聚半角:32 mrad
插图)20 帧平均值
e-ABF(增强型 ABF)不能在 SAAF Quad 配置中使用。
实时 OBF 成像
对于电子束敏感的样品,从现场寻找到图像采集的所有操作都必须在低剂量条件下进行。
在这种情况下,OBF STEM 实时成像成为一项重要功能。
OBF 实时成像功能作为 OBF 系统的标准配置,通过简单的 GUI 控制,可以实现类似于普通 STEM 图像观察的无缝显示更新。
视频
使用 JEM-ARM200F 实时观察 OBF-STEM 图像
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相关链接
规格/选项
| 分辨率*1 | STEM HAADF 图像下午 70 点 (200 kV)、下午 100 点 (80 kV)、下午 160 点 (30 kV)TEM 信息限制 100 pm (200 kV)、110 pm (80 kV)、250 pm (30 kV) |
|---|---|
| 电子枪 | 冷阴极场发射电子枪 – 标准设备 |
| 像差校正装置 | STEM:NEO ASCOR HOAC*2,TEM:带 DSS 的 CETCOR*3 |
| 像差校正装置自动调节系统 | NEO JEOL COSMO™ 自动像差校正系统,标配原位调谐系统 (SIAM) |
| 加速电压 | 30 至 200 kV(80、200 kV – 标准,30、60、120 kV – 可选) |
| 无磁场模式 | 洛伦兹放大倍率设置模式(屏幕上×50至80 k)-标准装备 |
| 示例移动机制 | X、Y、Z 超精细机械驱动、超精细压电元件驱动 – 标准设备 |
| 操作 | RDS*4操作 |
适用于带 UHR(超高分辨率极片)的 STEM/TEM 球面像差校正器配置
HOAC(高阶像差校正装置)
DSS(DeScan 系统)
RDS(安装室划分)
目录下载
JEM-ARM200F NEOARM 原子分辨率分析电子显微镜
申请
使用 4D-STEM 和 STEM-EELS 进行 FinFET 的平面图观察
像素型STEM检测器“4DCanvas™”获取的应用数据介绍
使用配备 C-FEG 的像差校正透射电子显微镜提高 Z 方向分辨率
使用配备自动像差校正装置和冷FEG的透射电子显微镜进行低加速电压原子分辨率观察和分析
图库
EDS 画廊
钛酸锶

带图像过滤
| 示例 | 钛酸锶 |
|---|---|
| 加速电压 | 200 kV |
| 探测电流 | 542 pA |
| 地图大小 | 256×256像素 |
钛酸锶(高清)

| 示例 | 钛酸锶 |
|---|---|
| 加速电压 | 200 kV |
| 地图大小 | 1024×1024像素 |
半导体器件

| 示例 | 半导体器件 |
|---|---|
| 加速电压 | 200 kV |
| 地图大小 | 256×256 像素 |
氮化硅

| 示例 | 氮化硅 |
|---|---|
| 加速电压 | 200 kV |
| 地图大小 | 256×256像素 |
硫化钨单层片@80 kV

| 示例 | 硫化钨(IV) |
|---|---|
| 加速电压 | 80 kV |
| 地图大小 | 256×256 像素 |
氮化镓@60 kV

| 示例 | 氮化镓 |
|---|---|
| 加速电压 | 60 kV |
| 探头电流 | 345 pA |
| 地图大小 | 256×256 像素 |
钛酸锶@30 kV

| 示例 | 钛酸锶 |
|---|---|
| 加速电压 | 30 kV |
| 地图大小 | 256×256像素 |
像差校正
CEOS STEM像差校正机中的自动像差校正
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使用 Ronchigram 进行手动像差校正
◆点击上方方框中的播放按钮即可开始影片(约20分钟)◆
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