[已售完] JSM-7800F肖特基场发射扫描电子显微镜|产品信息|日本电子株式会社| 日本电子株式会社产品信息|日本日本株式会社

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功能

后继型号
新型号：JSM-IT800

这是新一代 SEM，通过配备新开发的超级混合镜头 (SHL)，在低加速电压下实现高分辨率，同时保持高可操作性。电子枪采用透镜内肖特基场致发射型，可在大照射电流下进行稳定分析。

使用超级混合镜头 (SHL) 进行高分辨率观察

物镜采用叠加静磁场和静电场的超级混合透镜（SHL）。通过减少色差和球差，分辨率在低加速电压下得到特别提高。此外，由于SHL对样品没有任何磁场影响，因此可以毫无问题地进行磁性材料的观察和EBSD测量。

低加速电压下的能量选择

能量过滤器直接连接在上部探测器 (UED) 下方，允许能量选择。由于即使在低加速电压下也能够高精度地分离二次电子和背向散射电子，因此可以利用低加速电压下的背向散射电子图像来观察样品最外表面的组成。

使用柔和光束进行顶面观察 (GB)

通过向样品 (GB) 施加偏置电压，它可以使入射电子减速并加速发射电子。即使在低样本到达能量下也可以获得高分辨率和良好信噪比的图像。通过使用可以施加更高偏置电压的GB模式，可以在样品能量达到数十eV时进行更高分辨率的观察。

使用多个探测器获取样品的所有信息

JSM-7800F可配备四种类型的探测器：上部探测器（UED）、上部二次电子探测器（USD）、背散射电子探测器（BED）和下部探测器（LED）。 UED可以根据滤波器电压改变二次电子和反射电子的数量，从而可以选择电子的能量。 USD 检测被过滤器弹回的低能电子。使用 BED，可以通过检测低角度的反向散射电子来清楚地观察沟道对比度。使用 LED，您可以获得具有三维效果的图像，其中包括由于照明效果而产生的不均匀信息。

应用示例

低加速电压下的观察
JSM-7800F 可以在 10eV 处观察到样品在 GB 模式下达到能量。在这里，我们将样品到达能量设置为 80 eV，并展示了观察一个原子厚度的石墨烯片表面的示例。

样品：石墨烯，能量达到80eV

能量排序
UED 和 USD 可以同时获取背散射电子图像（左图）和二次电子图像（右图），从而实现高精度的图像解释。在二次电子图像中，不均匀信息占主导地位，金颗粒和TiO2之间的对比度没有差异，但在背散射电子图像中，平均原子序数高的金颗粒显得更亮。

背散射电子图像

样品：金载 TiO2 催化剂 (2kV)

二次电子图像

使用 GBSH 进行观察
通过使用 GBSH 对样品施加高偏压，可以进一步减少像差，实现高分辨率观察。可以清晰地观察到介孔二氧化硅介孔中的微孔（见下图）。

样品：介孔二氧化硅样品到达能量：1keV

磁性材料的观察
SHL 是一种抑制磁场泄漏的物镜。这使得即使在低能级下也可以轻松地对磁性材料进行高分辨率观察。

样品：磁铁矿纳米颗粒样品到达能量：1keV

磁性材料的EBSD测量
SHL 也适用于 EBSD，因为它不受磁场泄漏的影响。如下图所示，使用IPF Map可以高精度地确认晶粒的取向。

积分：118585
尺寸：
X 最大值：8000 微米，Y 最大值：7989 微米
步长：025微米
相：Nd2Fe14B

从样品中获得的 EBSD 图案示例
（随时获取）

规格/选项

分辨率	08 nm(15 kV) 12 nm(1 kV) 30 nm（15kV，5nA，WD10mm）
放大倍数	×25～×1,000,000(SEM)
加速电压	001kV～30kV
样品照射电流（探头电流）	几 pA 至 200nA
自动光圈角优化镜头	内置
探测器	上部探测器 (UED) 向下探测器 (LED)
能量过滤器	内置UED滤波器电压可变功能
柔和的光束（样本偏差）	内置
数字图像	1,280×960像素、800×600像素
样品交换室	配置 TYPE2A
样品阶段	全同心测角仪，5轴电机驱动
X-Y	X：70毫米，Y：50毫米
坡度	－5～＋70°
旋转	360°
工作距离	2mm～25mm
排气系统	2 个 SIP、TMP、RP
节能设计	正常运行：11 kVA 节能模式下：08 kVA