JIB-4610F 是一款配备易于使用的透镜外型扫描电子显微镜 (SEM) 的设备，配备肖特基型电子枪和新型 FIB 镜筒，可在一个室中进行高电流处理（最大离子电流 90nA）。使用FIB进行高速截面加工后的高分辨率SEM观察，以及使用EDS（能量色散X射线光谱仪）、EBSD（晶体取向分析系统）、CLD（阴极发光）等各种分析装置（利用可以获得大电流（200nA）的肖特基电子枪）进行高速分析。它还标配了三维分析功能，可以定期自动执行截面处理（Cut & See），并获取每个截面的 SEM 图像。
功能
更快、更宽的加工
通过安装新开发的FIB柱，我们在30kV的加速电压下实现了90nA的最大离子电流和4nm的分辨率。
这使得加工速度比以前的机器更高。 （加工速度是传统机器的15倍以上（我们的比较））对于大面积（体积）的加工特别有效。
此外，可以使用低加速电压离子束去除加工损伤层并提供清洁的加工表面。
更准确的分析
配备最大照射电流值为200nA的电子枪镜筒，实现使用EDS、EBSD、CLD等的高速、高分辨率分析（选配）。高速分析有助于减少电子束损伤和漂移。使用 JEOL 肖特基电子枪镜筒，可以通过改进的电子束和机械稳定性来收集高度可靠的数据，该电子枪镜筒在全球范围内拥有良好的交付记录。
3D观察、3D分析
通过组合配备高电流FIB和肖特基电子枪的高分辨率SEM（分辨率30kV：12nm，1kV：30nm）和各种分析单元（选项），
使用 Cut & See 自动连续处理 SEM 图像观察
自动连续数据采集以进行 EDS 和 EBSD 绘图
已经实现。通过叠加获取的连续图像，可以制作各种观察图像并进行三维分析。 （选项）此外，在任何分析中，无需倾斜或旋转载物台即可获取数据。
更多应用
配备冷却台和冷冻装置（可选），可以减少 FIB 加工过程中离子束照射造成的热损伤。 Cryo 装置对于处理和观察含有水分的样品非常有效。
与 JEOL 产品的兼容性
JIB-4610F的样品支架与JEOL的FE-SEM共用支架，因此可以在不转移样品的情况下运输样品，并且每个观察和处理位置的导航功能可以实现高效的观察和处理。 （可选）此外，通过在 TEM 支架尖端和 JIB 系列载物台之间使用可选的梭保持器，无需对安装在半月形网格上的 TEM 样品进行详细处理，从而进一步提高了吞吐量。
规格/选项
| 扫描电镜 | |
|---|---|
| 电子枪 | 肖特基场发射电子枪 |
| 物镜 | 超锥形物镜 |
| 分辨率 | 12nm（加速电压：30kV）、30nm（加速电压1kV） |
| 加速电压 | 01～30kV |
| 辐照电流 | 1pA～200nA |
| 自动光圈角优化镜头 | 标准设备 |
| 放大倍数 | ×20～×1,000,000 |
| FIB | |
| 离子枪 | Ga液态金属离子源（LMIS） |
| 分辨率 | 4 nm（加速电压30 kV） |
| 放大倍数 | ×100-300,000（处理）/×50-300,000（观察） |
| 加速电压 | 1～30kV |
| 束流 | 1 pA 至 90 nA（加速电压 30 kV） |
| 探测器 | 向下探测器R-BEI（可选）STEM（可选） |
| 柔和的光束（样本偏差） | 施加电压样本； 0至-2000V |
| 样品交换室 | 标准设备 |
| 样品台 | 6轴电机驱动平台 |
| 移动范围示例 | X； 50mm，Y； 50mm，Z； 15 至 41mm，T（倾斜）； -5 至 70°,R（旋转）； 360°无尽，Fz； -3 至 +3 毫米 |
| 样品交换方法 | 一键式夹紧方法 |
| 样品架 | 标准持有者； φ125mm、φ32mm期权持有者； φ762晶圆支架，φ100mm晶圆支架，φ125mm晶圆支架，φ150mm晶圆支架，2、4、6型散装罐，表面多样品支架，STEM 持有人，梭固定架，一键式支架 |
| 样板房观察 | 样品室摄像头（可选） |
| 自动功能 | 自动对焦自动亮度调节 |
| 系统控制 | SEM控制系统PC IBM PC/AT兼容，RAM 4GB或更多，操作系统 Windows®7 专业版 |
| 监视器 | 类型 24 |
| 图像显示 | 1,280×960 像素或 640×480 像素（仅供参考，GUI 尺寸为 1,600 x 1,200 像素） |
| 显示模式 | 标准； SEM_SEI、FIB_SEI、SEM_MIX选项； SEM_COMPO、SEM_TOPO、SEM_TED、AUX |
| 扫描、显示模式 | 限制区域扫描、附加图像、缩放器、屏幕显示； 1 个屏幕、2 个屏幕（标准）、4 个屏幕 |
| 极限压力 | 高压； 20×10E-4Pa（使用GIS时；<30E-3Pa） |
| 排气系统 | SIP×2(SEM)、SIP×1(FIB)、TMP×1、RP×1 |
| 功耗 | 稳定运行时约20kVA |
| 二氧化碳功耗2转换 | 稳定运行期间的年二氧化碳排放量2排放量 4,967 公斤 |
| 安全装置 | 真空度较低、漏水、停电、N2气体压降和漏电流保护，但不包括停电时超高真空维持功能。 |
| 足迹 | 3,200mm 或以上 x 3,000mm 或以上 |
| 安装条件 | 电源；单相 200V，50/60Hz，最大6kVA，正常使用时约为20kVA允许输入功率波动在±10%以内，1个接地端子100Ω以下冷却水；供水口外径14mm 1个或JIS B 0203 Rc1/4 1个，流量05L/min，水压01～025MPa（表压），水温20℃±5℃排水口；内径25mm以上1个或JIS B 0203 Rc1/4 1个干燥氮气； JIS B 0203 Rc1/4（客户提供） 压力045～055MPa（表压）安装室；室温20℃±5℃湿度 60%浮动交流磁场03μT（P-P）以下（50/60Hz正弦波）*1正弦波频率为5Hz以上且小于2μm(P-P)的地板振动*1噪声平坦特性70dB以下*1安装室尺寸3,000mm x 3,200mm以上，高度2,300mm以上门尺寸1,000mm*2（宽）x 2,000mm（高）或以上
|
| 主要选项 | GIS（C、W、Pt）、EDS、WDS、EBSD、CL、Cryo、样品室相机、SNS 等 |
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