天游线路检测中心 BS/JEBG/EBG系列电子枪

这是用于电子束蒸发的电子枪（偏转型），用于形成光学薄膜和电极膜等各种薄膜。

功能

电子束蒸镀法的特点

• 由于蒸发材料直接用电子束照射并加热，因此热效率高，可以蒸发高熔点金属、氧化物、化合物、升华性物质等各种材料。

• 由于水冷铜坩埚(*)中的蒸发材料被直接加热，因此与电阻加热或感应加热方法不同，不会与舟或坩埚发生反应。
  *可以使用炉床衬里。

• 高速输出控制可实现精确的膜厚控制。

• 与溅射和CVD方法相比，其主要优点是可以高速成膜。
  对于制造1μm以上的厚膜也有效。

JEOL 电子枪和电源的特点

[氧化物]

电子束垂直照射被蒸发材料，束斑接近正圆，能量密度高。此外，它标配高速扫描功能，适合在高熔点、低导热率的氧化物和可升华材料上沉积。可以获得良好的熔化痕迹，并且可以在宽的沉积区域上获得可再现的膜厚度分布。

[金属]

我们有多种坩埚可供选择，可实现多种类型、大批量和高速率沉积。还有用于剥离工艺的电子枪，可抑制成膜过程中的温度升高。

[合金/复合膜]

通过在两个或三个相邻的坩埚中填充不同的材料并使用专用的扫描控制器同时进行两个或三个气相沉积，可以形成合金膜和复合膜。

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规格/选项

• EB电源的最大输出为16kW，因此实际可以使用的最大输出为16kW。

• 可通过特殊订单制造⇒12cc×4或6个等

• 可以改变坩埚孔形状⇒28cc（φ45×20h）×6点、51cc（φ60×20h）×3点等

• 可以通过特殊订单制造⇒40cc（φ50×25h）×4或6点，114cc（φ75×30h）×1点等

• 可通过特殊订单制造⇒114cc（φ75×30h）×1点、φ34×20h×3孔（用于同时沉积）、φ70×30h×4点等
  有关坩埚规格，请联系我们。

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BS/JEBG/EBG系列电子枪

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金属气相沉积专用电子枪。坩埚和背散射电子陷阱是标准设备。高速金属沉积和厚膜沉积是可能的。

坩埚后面的背散射电子陷阱捕获导致基板温度升高的背散射电子。
即使在厚膜沉积和高速沉积过程中，也可以保持较低的基板温度。
适用于剥离沉积和其他想要抑制温升的沉积。

坩埚有两种类型：4点型和6点型。
容量大，坩埚侧面水冷，防止相邻坩埚之间交叉污染。
可以实现稳定的气相沉积。

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背散射电子陷阱

在电子束蒸镀过程中，入射到蒸镀材料上的部分电子以反射电子（背散射电子）的形式发射出来，当它们到达基材时，可能会损坏基材、升高温度、降低薄膜附着力。
背散射电子陷阱是一种可以与电子枪结合使用的装置，可显着减少进入基板的背散射电子量。它还可以对现有的气相沉积设备进行改造。

通过减少背散射电子，可以预期以下效果。

• 可以抑制电路板温度的上升。适用于沉积在抗蚀剂图案上的剥离工艺。

• 适合涂覆在易受背散射电子损伤的基材和底层上。

• 提高附着力。

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