功能
天游ty8检测中心800FPRIME 通过配备新开发的超高分辨率 GENTLEBEAM™ (GBSH) 实现了世界上最高分辨率。此外，采用镜内肖特基Plus场发射电子枪，最大照射电流从200nA增加到500nA。
透镜内肖特基+场发射天游ty8检测中心枪
通过优化天游ty8检测中心枪和低像差聚光透镜实现了高亮度。通过有效地收集从天游ty8检测中心枪产生的天游ty8检测中心，即使在低加速电压下也可以获得几pA至几十nA的照射电流。这使得在保持最小物镜孔径的同时，可以在纳米尺度上进行高分辨率观察、高速 EDS、WDS 绘图和 EBSD 分析。
使用 GBSH（GENTLEBEAM™ 超高分辨率）进行表面观察
通过改进传统的 GENTLEBEAM™ (GB)* 并向样品施加更高的电压，可以在低加速电压下获得超高分辨率图像。 GBSH 允许您根据各种应用选择加速电压，从样品最外表面的观察到纳米级分析。
GENTLEBEAM™ (GB) 向样品施加偏置电压，从而使入射天游ty8检测中心减速并加速发射天游ty8检测中心。
使用 GENTLEBEAM™ 观察顶面 (GB)
通过向样品 (GB) 施加偏置电压，它可以使入射天游ty8检测中心减速并加速发射天游ty8检测中心。即使在低样本到达能量下也可以获得高分辨率和良好信噪比的图像。通过使用可以施加更高偏置电压的GB模式，可以在样品能量达到数十eV时进行更高分辨率的观察。
使用多个检测器获取有关样品的所有信息
天游ty8检测中心800FPRIME 可配备四种类型的探测器：上部探测器（UED）、上部二次电子探测器（USD）、背散射电子探测器（BED）和下部探测器（LED）。 UED可以根据滤波器电压改变二次电子和反射电子的数量，从而可以选择电子的能量。 USD 检测被过滤器弹回的低能电子。使用 BED，可以通过检测低角度的反向散射电子来清楚地观察沟道对比度。使用 LED，您可以获得具有三维效果的图像，其中包括由于照明效果而产生的不均匀信息。
规格/选项
| 分辨率 | 07 nm (15 kV), 07 nm (1 kV),30 nm（5 kV，WD10 mm，5 nA） |
|---|---|
| 放大倍数 | ×25～×1,000,000(SEM) |
| 加速电压 | 001kV～30kV |
| 样品照射电流（探头电流） | 数量 pA ~ 500 nA |
| 自动光圈角优化镜头 | 内置 |
| 探测器 | 上部探测器 (UED)向下探测器 (LED) |
| 能量过滤器 | 内置UED滤波器电压可变功能 |
| 柔和的光束（样本偏差） | 内置 |
| 数字图像 | 1,280×960像素、800×600像素 |
| 样品交换室 | 配置 TYPE2A |
| 样品台 | 全同心测角仪，5轴电机驱动 |
| X-Y | X：70毫米，Y：50毫米 |
| 坡度 | －5 ～ +70° |
| 旋转 | 360° |
| 工作距离 | 2毫米～25毫米 |
| 排气系统 | 2 个 SIP、TMP、RP |
| 节能设计 | 正常运行：11 kVA节能模式下：08 kVA |
主要选项
能量色散X射线光谱仪（EDS）
波长色散X射线光谱仪(WDS)
晶体取向分析仪 (EBSD)
阴极发光 (CLD)
申请
与 天游ty8检测中心800FPRIME 相关的应用
使用高空间分辨率扫描天游ty8检测中心显微镜评估和分析纳米结构材料
MALDI 应用：使用成像质谱和扫描天游ty8检测中心显微镜进行指纹分析
高角度检测背散射天游ty8检测中心和低角度检测背散射天游ty8检测中心
肖特基SEM高电流下防止光束直径增大的天游ty8检测中心光学系统及其验证
图库
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miXcroscopy™ 光学显微镜/扫描天游ty8检测中心显微镜连接系统
光学显微镜和扫描天游ty8检测中心显微镜使用相同的样品架，并通过专用软件管理载物台信息，系统可以存储光学显微镜观察到的区域，并进一步扩大与扫描天游ty8检测中心显微镜相同的视野以进行精细结构观察。现在可以用扫描天游ty8检测中心显微镜无缝观察观察目标，而不会用光学显微镜错过观察目标，使光学显微镜图像与扫描天游ty8检测中心显微镜图像的对比验证更加顺畅和轻松。
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