功能
JSM-7800FPRIME配备了新开发的超高分辨率GENTLEBEAM™ (GBSH)，实现了世界上最高分辨率。此外，采用镜内肖特基Plus场发射电子枪，最大照射电流从200nA增加到500nA。
透镜内肖特基+场发射电子枪
通过优化电子枪和低像差聚光透镜实现了高亮度。通过有效地收集从电子枪产生的电子，即使在低加速电压下也可以获得几pA至几十nA的照射电流。这使得在保持最小物镜孔径的同时，可以在纳米尺度上进行高分辨率观察、高速 EDS、WDS 绘图和 EBSD 分析。
使用 GBSH（GENTLEBEAM™ 超高分辨率）进行表面观察
通过改进传统的GENTLEBEAM™ (GB)*并向样品施加更高的电压，可以用低加速电压获得超高分辨率图像。 GBSH 允许您根据各种应用选择加速电压，从样品最外表面的观察到纳米级分析。
GENTLEBEAM™ (GB) 向样品施加偏置电压，从而使入射电子减速并加速发射电子。
使用 GENTLEBEAM™ 观察顶面 (GB)
通过向样品 (GB) 施加偏置电压，它可以使入射电子减速并加速发射电子。即使在低样本到达能量下也可以获得高分辨率和良好信噪比的图像。通过使用可以施加更高偏置电压的GB模式，可以在样品能量达到数十eV时进行更高分辨率的观察。
使用多个探测器获取样品的所有信息
JSM-7800FPRIME 可配备四种类型的探测器：上部探测器（UED）、上部二次电子探测器（USD）、背散射电子探测器（BED）和下部探测器（LED）。 UED可以根据滤波器电压改变二次电子和反射电子的数量，从而可以选择电子的能量。 USD 检测被过滤器弹回的低能电子。使用 BED，可以通过检测低角度的反向散射电子来清楚地观察沟道对比度。使用 LED，您可以获得具有三维效果的图像，其中包括由于照明效果而产生的不均匀信息。
规格/选项
| 分辨率 | 07 nm (15 kV), 07 nm (1 kV),30 nm（5 kV，WD10 mm，5 nA） |
|---|---|
| 放大倍数 | ×25～×1,000,000(SEM) |
| 加速电压 | 001kV～30kV |
| 样品照射电流（探头电流） | 数量 pA ~ 500 nA |
| 自动光圈角优化镜头 | 内置 |
| 探测器 | 上部探测器 (UED)向下探测器 (LED) |
| 能量过滤器 | 内置UED滤波器电压可变功能 |
| 柔和的光束（样本偏差） | 内置 |
| 数字图像 | 1,280×960像素、800×600像素 |
| 样品交换室 | 配置 TYPE2A |
| 样品台 | 全同心测角仪，5轴电机驱动 |
| X-Y | X：70毫米，Y：50毫米 |
| 坡度 | －5 ～ +70° |
| 旋转 | 360° |
| 工作距离 | 2毫米～25毫米 |
| 排气系统 | 2 个 SIP、TMP、RP |
| 节能设计 | 正常运行：11 kVA节能模式下：08 kVA |
主要选项
能量色散X射线光谱仪（EDS）
波长色散X射线光谱仪(WDS)
晶体取向分析仪 (EBSD)
阴极发光 (CLD)
申请
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图库
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