JIB-4501是配备热离子枪型SEM和高性能离子镜筒的复合束加工观察装置。虽然可以直接使用SEM观察样品的表面，但可以通过在使用FIB对截面进行局部加工后进行SEM观察来进行内部观察和元素分析。此外，还可以制备使用 FIB 和 TEM 薄膜样品的微加工。大腔室的使用扩大了应用范围。此外，低真空模式允许SEM观察而无需涂覆任何绝缘体，使其适用于所有领域。
功能
结合热电子枪SEM和高性能FIB进行综合分析
JIB-4501 采用高功率 FIB 镜筒，最大离子束电流为 60 nA，可实现高速处理。可加工更大面积的截面，并可在现场进行SEM观察、EDS*分析、EBSD*分析。由于一系列操作可以在同一真空中进行，因此可以在不受氧化等表面劣化影响的情况下对材料进行分析。此外，大载物台允许插入直径为 75 毫米、高度为 30 毫米的样本，而无需切割。
(*)可选附件
串行切片和采样功能
JIB-4501的立柱排列设计允许在倾斜载物台的情况下对FIB加工截面进行SEM观察，因此可以自动连续地执行使用FIB截面加工和SEM图像采集的一系列操作。如果您使用可选的应用软件“Stack N Viz”，您可以将其重建为 3D 图像，让您以 3D 方式了解样品的内部结构。
与其他 JEOL 产品的兼容性
JIB 系列可以选择使其与 JEM 系列** 和 JSM 系列** 兼容。使用 JIB 系列制备的样品可以在 JEOL 产品之间以高通量传输，从而轻松执行更详细的分析。例如，如果使用穿梭固定器互换 JEM 系列的 TEM 支架（例如 JEM-ARM200F）的尖端和 JIB-4501 的载物台（图 1），则无需对安装在半月形网格上的 TEM 样品进行精细处理，从而进一步提高吞吐量。
**仅限于某些产品
图1 JIB-4501与JEM系列兼容示例
应用示例
应用1片式电容器结界面的截面观察及EDS分析
通过在同一室中安装热电子枪SEM、高性能FIB和EDS，可以同时进行截面处理、SEM观察和EDS分析。图 2 和图 3 显示了片式电容器焊点界面相同位置的截面 SEM（背散射电子成分）图像、SIM（扫描离子显微镜）图像和 EDS 元素图。在 SEM 背散射电子成分图像中可以清楚地观察到原子序数对比。另一方面，在 SIM 图像中可以清楚地观察到 Cu 区域的沟道对比度。
SEM（背散射电子成分）图像
SIM（在显微镜下扫描）图像
图2 片式电容器接合界面的截面观察（SEM、SIM）
元素映射图像
图3 片式电容器接合界面的截面EDS分析
应用 2 高质量 TEM 样品制备
使用 JIB 系列的高性能 FIB 色谱柱可以制备高质量的薄膜样品。图 4 显示了仅使用 30 kV Ga 离子束加速电压制作的 Si(110) 取向的 STEM 明场图像（左）和 HAADF 图像（未使用低加速电压或 Ar 离子照射进行精加工）。
明场图像
HAADF 雕像
图 4 Si (110) 的 STEM 图像 (JEM-ARM200F)
规格/选项
FIB（聚焦离子束）
| 离子源 | Ga液态金属离子源 |
|---|---|
| 加速电压 | 1~30kV（阶跃） |
| 放大倍数 | ×30（用于视野搜索） ×100～×300,000 |
| 图像分辨率 | 5nm（30kV） |
| 最大束电流 | 60nA（30kV 时） |
| 可移动光圈 | 12级（电机驱动） |
| 离子束加工形状 | 矩形、线条、点 |
SEM（电子束）
| 光束源 | 实验室6 |
|---|---|
| 加速电压 | 03~30kV（阶跃） |
| 放大倍数 | ×5～300,000 |
| 图像分辨率 | 25nm（30kV） |
| 最大束流 | 1μA（30 kV 时） |
| 样品台 | 测角仪平台X：76毫米，Y：76毫米Z:5～48mmT：-10~90°，R：360°R：360°无尽最大样品尺寸：76mmφ |
主要附件
暗室范围侧面使用
顶面腔室范围
注气系统2
外部扫描接口
EDS
大气拾音系统
申请
与 JIB-4501 相关的申请
更多信息
