天游线路检测中心 使用光电子能谱仪进行MD（迷你圆盘）深度方向分析

这是使用市售MD作为样品进行反复Ar离子溅射蚀刻和深度方向分析的结果。当我们测量Si2p、O1s和C1s光谱时，我们发现Si和O仅存在于MD表面附近。当我们确定O、C和Si的深度分布时，我们发现最外表面有极少量的有机保护膜，并且在它和C层之间有一个大约3 nm的SiO2层。另外，根据C1s光电子能谱的形状，判定C层为多孔碳。