紧凑型离子束蚀刻系统，不使用 TEM 和 SEM 化学品。
功能
可在大面积上进行均匀蚀刻和涂层。
样品处理可以在无油的清洁环境中进行。
还可以连接侧入式 TEM 样品架。
对半导体相关样品特别有效
高范围均匀蚀刻涂层（约10mmφ）
插头截面结构剖析
免受化学品危险
样品处理过程中免受污染
规格/选项
| 离子源 | 3种围栏枪 |
|---|---|
| 离子能量 | 1kV-10kV |
| 天然气 | 氩气 01ml/min/枪 |
| 光束直径 | 蚀刻最大。 5mm（旋转约10mm），涂层最大。 1毫米 |
| 离子电流密度 | 10毫安/厘米2每个离子源 |
| 干泵 | 60l/sec 分子药物泵，2级隔膜泵 |
| 真空度 | 基础真空度66×10-4Pa，工作真空度8×10-3Pa |
| 真空计 | 冷阴极型：样品室固态检测器/背压 |
| 样品室气锁 | 样品交换时间：30秒或更短，耳语锁定 |
| 涂布速度 | 碳：约。 005 纳米/秒，铬：约。 015nm/秒（10kV 时） |
| 蚀刻速度 | 大约。 3μm/小时（钨10kV） |
| 样品架 | 水平平台，可装载直径36mm样品 |
| 示例轮换 | 360° (10-60RPM) |
| 倾斜样本 | 固定角度或锁定操作±45° |
| 目标持有者 | 2 个双触发器目标组（当装置处于真空状态时可从外部选择）未使用的目标完全免受飞溅污染。 |
| 目标材料 | 标准：碳/铬、金钯/钨，可提供碳、铬铂、金钯、金、铱、钽、钨等靶材。 |
| 电源 | 200W 100、120、230VAC 50/60Hz |
| 外部尺寸 | 560mm(W)×480mm(D)×430mm(H)，平均运输重量38kg |
| 天然气 | 氩气，70 psi |
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