天游线路检测中心
天游线路检测中心
天游线路检测中心、金属天游线路检测中心
[目录:样品制备]
天游线路检测中心是指用碳或金属的导电薄膜(约几纳米-10纳米厚)覆盖非导电样品的表面。当入射电子(进入样品的电子)积累时,样品表面带负电。另一方面,如果从样品中发射的二次电子多于入射电子,则样品带正电。天游线路检测中心允许电荷通过导电薄膜逃逸到地面,防止由于充电和图像异常(例如样品区域变得极亮(或极暗))而导致二次电子图像失真。请注意,如果样品具有导电性,则无需对其进行天游线路检测中心。
图1显示了金(Au)天游线路检测中心头发和未处理头发的SEM观察示例。两者都在观察同一位置。涂有Au的头发具有导电性,可以观察到表面的鳞片图案而不变形(图1(a))。另一方面,在未处理的状态下,由于充电引起的入射电子束的偏转,头发看起来比其实际厚度更薄。此外,中心周围的区域由于充电而变得异常暗,使得很难看到表面的鳞片图案(图1(b))。
图1 有天游线路检测中心与无天游线路检测中心的比较(设备:JCM-7000,加速电压:15 kV)
(a) 金 (Au) 天游线路检测中心头发的二次电子图像。可以观察到表面的鳞片图案而不变形。 Au薄膜的厚度只有几纳米,因此不会影响观察到的形状。
(b) 未处理头发的二次电子图像。由于带电导致入射电子束偏转,头发看起来比实际厚度更薄。此外,由于电荷的作用,中心区域变得极暗,使得表面的鳞片图案变得不清晰。
表1 涂覆方法和材料
| 涂覆方法 | 真空沉积 | 溅射 | 等离子体 CVD | |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | 碳 (C) | 金 (Au) | 白金 (Pt) | 锇 (Os) |
| 粒度 | SEM 无法看到颗粒 | 几十纳米的颗粒可见 | 数纳米颗粒可见 | SEM 无法看到颗粒 |
| 示例的良好概括 | 真空沉积 (C) < 溅射 (Au、Pt) < 等离子体 CVD (Os) | |||
| 合适的样本 | 元素分析的通用样品 | 用 SEM 观察的一般样品 | 结构复杂的标本(多孔材料、生物样品、纤维等) | |
| 可用于观察和分析的放大倍率(近似值) | ![]() |
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表1显示了涂覆方法和材料特性。涂覆方法包括真空沉积、溅射和等离子体CVD(化学气相沉积)。每种天游线路检测中心方法可使用的天游线路检测中心材料不同。碳(C)用于真空蒸发,金(Au)或铂(Pt)用于溅射,锇(Os)用于等离子体CVD。按照以下顺序:真空蒸发<溅射<等离子体CVD,天游线路检测中心材料将更容易到达样品的背面。
碳适合元素分析。其原因是碳的EDS谱中的Kα射线(027keV)难以与其他元素的峰重叠,并且样品产生的特征X射线也难以吸收。另一方面,Au、Pt和Os的原子序数分别为79、78和76,并且它们的EDS谱峰看起来彼此接近。 Au、Pt、Os的Mα射线(19~24keV)是磷(P)的Kα射线(20keV)、硫(S)的Kα射线(23keV)、锆(Zr)的Lα射线(20keV)。在分析可能含有 P、S 和 Zr 的样品时,最好不要使用 Au、Pt 和 Os 作为天游线路检测中心材料,因为它们容易重叠。
比较Au和Pt,Pt晶粒比Au晶粒小,所以最好使用Pt。作为一个例子,图2显示了未经处理的炭黑(烟灰颗粒)和涂有Au和Pt的炭黑的SEM观察结果。
未经处理的炭黑上看不到任何颗粒(图 2 (a))。另一方面,在涂有Au的炭黑中,可以看到几十纳米的Au颗粒(图2(b))。在涂有 Pt 的炭黑中,Pt 颗粒在该放大倍数下几乎看不见,其尺寸小至几个纳米(图 2(c))。
如图2(c)所示,当涂有Pt时,即使在高倍率下也很难看到颗粒,因此可用于尺寸为几μm或更小的样品(例如纳米颗粒、抗蚀剂图案、半导体绝缘膜等)。当以更高的放大倍数进行SEM观察时,可以通过溅射来涂覆更小的铬(Cr)或铱(Ir)颗粒。
图2 使用金(Au)和铂(Pt)进行天游线路检测中心的颗粒度比较(设备:JSM-IT800SHL,加速电压:15 kV)
(a) 未经处理的炭黑的二次电子图像。炭黑表面看不到任何颗粒。
(b) Au 包覆炭黑的二次电子图像。 Au颗粒的尺寸为几十纳米。
(c) Pt 天游线路检测中心炭黑的二次电子图像。 Pt 颗粒的尺寸为几纳米。
四氧化锇 (OsO4)的等离子体CVD不仅可以均匀地涂覆样品的顶面,而且可以均匀地涂覆样品的侧面和底面,使其适合于多孔材料、生物样品和纤维等结构复杂的样品的涂覆。然而,OsO4是一种有毒物质,因此处理时必须小心。奥斯4为了防止气体排放到室外,需要在涂装设备内部安装过滤器来吸收和除去气体。
天游线路检测中心是在不导电样品的表面覆盖几纳米到10纳米厚的导电薄膜(碳或金属)。如果进入样本的入射电子在样本中累积,则样本表面带负电。如果从样品发射的二次电子多于进入的电子,则样品表面带正电。
当涂覆导电薄膜时,多余的电荷逃逸到地面,然后由于充电导致的二次电子图像失真和图像异常(例如局部区域的极亮(或极暗)图像)消失。如果样品是导电的,则不需要天游线路检测中心。
图。图 1 显示了从具有金 (Au) 天游线路检测中心和没有天游线路检测中心的人发中获取的 SEM 图像的示例。镀金的毛发具有导电性,并且可以在没有图像失真的情况下观察表面的鳞片图案(图1(a))。另一方面,对于没有天游线路检测中心的情况,由于充电引起的入射电子束的偏转,毛发看起来比其实际厚度更薄。另外,充电导致头发中心区域异常变暗,无法清楚地看到头发表面的鳞片图案(图1(b))。
图。 1 有天游线路检测中心和无天游线路检测中心的 SEM 图像比较。(仪器:JCM-7000,加速电压:15 kV)
(a) 带有金 (Au) 天游线路检测中心的人发的二次电子图像。表面的鳞片图案清晰可见,图像无失真。值得注意的是,Au膜的厚度仅为几纳米,对毛发形态的观察没有影响。
(b) 没有天游线路检测中心的人发的二次电子图像。由于充电引起的入射电子束偏转,头发看起来比实际厚度更薄。由于充电,头发的中心区域显得异常暗,头发的鳞片图案变得不清晰。
表1 天游线路检测中心方法和材料
| 涂覆方法 | 真空蒸发 | 溅射 | 等离子体 CVD | |
|---|---|---|---|---|
| 材质 | 碳 (C) | 金 (Au) | 白金 (Pt) | 锇 (Os) |
| 粒子 | SEM 图像中没有看到任何颗粒。 | 看到颗粒(颗粒大小为几个 10 nm)。 | 看到颗粒(颗粒大小为几纳米)。 | SEM 图像中没有看到任何颗粒。 |
| 天游线路检测中心均匀性 | 真空蒸镀 (C) < 溅射 (Au、Pt) < 等离子体 CVD (Os) | |||
| 合适的标本 | 所有用于元素分析的样本 | 所有用于SEM观察的标本 | 复杂结构样本(例如多孔材料、生物样本、纤维) | |
| 用于观察和分析的放大范围 | ![]() |
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表1列出了天游线路检测中心方法和每种天游线路检测中心所用材料的特性。所采用的镀膜方法有真空蒸发、溅射和等离子CVD(化学气相沉积)。按照真空蒸发<溅射<等离子体CVD的顺序覆盖样品的背面。
碳适合元素分析。这是因为碳的EDS光谱的Kα线(027keV)几乎不与源自样品的其他构成元素的峰重叠,并且碳几乎不吸收从样品产生的特征X射线。
Au、Pt和Os的原子序数分别为79、78和76,产生的EDS谱峰彼此接近。需要说明的是,Au、Pt、Os的Mα线(19~24keV)与荧光体(P)的Kα线(20keV)、硫(S)的Kα线(23keV)、锆(Zr)的Lα线(20keV)重叠。
因此,这些天游线路检测中心材料最好不要用于分析可能含有 P、S 和 Zr 的样品。
比较Au和Pt,最好使用Pt,因为Pt颗粒比Au颗粒小。图2是表示3种情况下的炭黑(烟灰粒子)的SEM图像的比较例的图。无镀层、镀金、镀铂。在图2(a)中,炭黑上没有看到金属颗粒。在图2(b)中,可以看到尺寸为几十纳米的Au颗粒。在图 2(c) 中,Pt 颗粒在该放大倍数下几乎看不见,尺寸只有几纳米。
如图2(c)所示,由于即使在高倍率下也很难看到Pt颗粒,因此Pt天游线路检测中心可用于尺寸为几μm或更小的样品(例如纳米颗粒、抗蚀剂图案和半导体的绝缘膜)。为了进行更高放大倍数的 SEM 观察,可以通过溅射来涂覆颗粒尺寸小于 Pt 的铬 (Cr) 或铱 (Ir)。
图。 2 金 (Au) 和铂 (Pt) 天游线路检测中心的粒度比较。(仪器:JSM-IT800SHL,加速电压:15 kV)
(a) 没有天游线路检测中心的炭黑的二次电子图像。炭黑表面未见颗粒。
(b) 镀金炭黑的二次电子图像。 Au的粒径为几十纳米。
(c) 铂天游线路检测中心炭黑的二次电子图像。 Pt的粒径为几纳米。
使用四氧化锇 (OsO4)适用于多孔材料、生物样本和纤维等复杂结构样本,因为它不仅可以在样本的顶面而且可以在侧面和底面均匀涂覆。但需要注意的是,OsO4有毒,必须特别小心处理。镀膜系统中必须设置过滤器来吸收和去除OsO4气体,防止气体泄漏到外面。
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