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天游线路检测中心 俄歇电子

俄歇电子

俄歇电子

[目录:理论]

当处于激发态的原子跃迁到基态时,所发射的电子称为俄歇电子,此时能量不用于发射特征X射线,而是用于发射原子内的电子。俄歇电子的能量对于每种元素都是独特的,并且其逃逸深度很浅(05至数纳米),因此用于固体极端表面的定性和定量成分分析以及电子态分析(化学键态分析)。定量准确度约为10%。对于原子序数小的元素,俄歇电子发射的概率高于特征X射线发射的概率。相反,对于原子序数较大的元素,发射特征X射线的概率高于发射俄歇电子的概率。

当处于激发态的原子跃迁到基态时,如果其能量不是用于发射特征X射线,而是用于发射原子中的电子,则发射的电子称为“俄歇电子”。俄歇电子能量是元素的特征,且俄歇电子的逃逸深度非常小(05nm至数nm)。因此,俄歇电子用于固体顶表面的定量和成分分析以及电子结构分析(化学键态分析)。俄歇电子能谱的准确度约为10%。低原子序数的元素发射俄歇电子的概率高于发射特征X射线的概率。相反,高原子序数的元素具有比俄歇电子发射更高的特征X射线发射概率。

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