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天游线路检测中心

相对于衍射条件（激发误差）变化的衍射强度变化曲线。通常指以满足布拉格条件的入射角为中心改变入射方向时强度变化的曲线。

当样品很薄时的天游线路检测中心由运动衍射理论解释。当样品变厚（大约几纳米厚或更多）时，天游线路检测中心就成为动态衍射效应（多重衍射效应）的反映。通常，观测到的天游线路检测中心是反映动态衍射效应的天游线路检测中心，几乎没有观测到运动学天游线路检测中心。天游线路检测中心是会聚电子衍射(CBED) 可以观察到形状。

图1，运动衍射理论计算的衍射波(反射波)天游线路检测中心(a)以及利用二波近似动力学理论计算的绕射波天游线路检测中心(b)在运动学衍射中，主要最大值的高度就是厚度t的2与功率成正比增加，其半宽为t的倒数成比例减小。次极大值随着厚度的增加而迅速减小。厚度有几纳米在这种情况下，次要最大值可以忽略不计，仅观察到主要最大值。相反，在动态衍射中，即使厚度增加，主要最大值仍保持恒定值。次极大值的大小和角展沿着图中所示的包络线变化。包络线的半宽度是消光距离 Ψ_g的倒数成正比从图中的例子可以看出，衍射强度不一定在完全满足布拉格反射的位置达到最大值。

图2(a)通过会聚电子衍射法获得硅的220显示反射的天游线路检测中心。220反射的天游线路检测中心就是计算出的天游线路检测中心（图1(b)) 复制得很好。请注意，图形周围看到的黑线源自其他激发反射。

作为参考，图2(b)显示了在[100]区轴入射处拍摄的透射波000的会聚电子衍射图案。这里，正交于 220 反射220 由于反射效应，可以在两个正交方向上看到天游线路检测中心。该图还表明Si晶体具有关于[100]轴四重旋转对称性。

图1 (a) 运动衍射引起的衍射波的天游线路检测中心。 (b) 动态衍射引起的衍射波的天游线路检测中心。符号t是样品的厚度，s是与布拉格条件的偏差量（激励误差）， Ψ_g是消光距离。运动衍射和动态衍射引起的衍射波的强度方程如下图所示。转载自《简易电子衍射与基本晶体学》共立出版社

图2(a)在两波近似条件下获得的Si 220反射的天游线路检测中心。沿中心水平线描绘的强度曲线与图 1(b) 中的曲线非常吻合。两端可见的对角线是由其他反射引起的。 (b) 显示了在[100]区入射处拍摄的透射波000的天游线路检测中心以供参考。四重旋转对称性清晰可见。转载自《简易电子衍射与基本晶体学》共立出版社

“天游线路检测中心”是指衍射强度随衍射条件（激发误差）变化而变化。通常是指围绕布拉格条件改变入射光束方向时获得的强度分布。

对于非常薄的样品，天游线路检测中心由运动学衍射理论解释。对于厚度超过几纳米的样品，天游线路检测中心会受到动态衍射效应（多次衍射效应）。因此，通常观察到的天游线路检测中心可以用动态衍射理论来解释，而很少观察到纯粹的运动学天游线路检测中心。这种天游线路检测中心可以在会聚束电子衍射 (CBED) 图案中观察到。

图。图1示出了通过运动衍射理论计算的衍射(反射)波的天游线路检测中心(a)和通过二波动态衍射理论计算的天游线路检测中心(b)。在运动学衍射的情况下，主最大值的大小与厚度t的平方成正比增加，并且主最大值的宽度与t的倒数成比例减小。随着厚度的增加，次极大值迅速减小。在几纳米或更大的厚度下，次极大值的大小可以忽略不计。因此，在天游线路检测中心中仅观察到主最大值。
另一方面，在动态衍射中，即使厚度增加，主最大值的大小仍保持在某个（有限）值。次极大值的大小和角度展宽沿着图1（b）所示的包络线变化。包络线的宽度与消光距离的倒数 xi_g。从图1（b）中可以看出，衍射强度不一定在精确布拉格条件的位置处取最大值。
图。图2(a)示出了通过CBED方法获取的Si的220°反射的天游线路检测中心。这与计算的天游线路检测中心（图 1（b））非常吻合。请注意，在图的外围观察到的黑线是由于激发的其他反射造成的。

图。图 2(b) 显示了在 [100] 区轴入射处获取的 000 透射波的 CBED 图案。在该图中，在正交的两个方向上看到两条天游线路检测中心，它们源自正交 220 和220 次思考。另外，从图中确认Si晶体相对于[100]轴具有四重旋转对称性。

图。 1、(a) 运动衍射引起的衍射波的天游线路检测中心。 (b) 动态衍射引起的衍射波的天游线路检测中心。符号t, s，和 Ψ_g分别代表样品厚度、与布拉格条件的偏差参数（激励误差）和消光距离。分别通过运动学衍射和动力学衍射得到的衍射波强度方程如图(a)和(b)所示。 Crystallography”（日语），共立印刷株式会社，2014 年）

图。图 2 (a) 二波近似条件下 Si 220 反射的天游线路检测中心。沿中心水平线绘制的强度曲线与图1（b）所示的曲线非常吻合。在外围看到的倾斜延伸的暗线源自其他反射。 (b) 在 [100] 区轴入射处拍摄的 000 透射波的 CBED 图案。在垂直和水平方向上可以看到两条正交的天游线路检测中心。清楚地看到四重旋转对称。（转载自 M Tanaka、M Terauchi、K Tsuda，“Introduction to Electron Diffraction and Elementary Crystallography”（日文），Kyoritsu Printing Co, Ltd，2014 年）