天游ty8检测中心 通过 FIB 制备横截面样品并对比 SIM 图像
IB2020-04
FIB（聚焦离子束）
聚焦离子束（FIB）是一种应用聚焦Ga离子束的加工和观察装置。可以创建横截面样本以天游ty8检测中心 SEM、STEM 或 TEM 进行观察。亚微米以下的高加工位置精度，对于制备半导体器件等的故障分析用样品是有效的。此外，可以天游ty8检测中心SIM（扫描离子显微镜）图像检测和观察用离子束扫描样品时发射的二次电子。一般来说，SIM 图像与 SEM 图像具有不同的对比度。可以清晰地观察通道对比度，从而有效地观察金属结构。
图1 JEOL FIB 产品阵容左：JIB-4700F，右：JIB-4000PLUS天游ty8检测中心 FIB 制备横截面样品的特点
与天游ty8检测中心宽离子束的CP（横截面抛光机）方法不同，天游ty8检测中心FIB的横截面样品制备不需要对许多样品进行抛光等预处理，只要将样品固定在样品架上即可※，可以在样品表面的任何位置制造。此外，由于FIB铣削仅在要制备横截面样品的区域进行，因此可以轻松快速地制备。(*如果样品是绝缘材料，需要进行导电处理。)
图2 天游ty8检测中心FIB制备横截面样品的特点
FIB 允许以高位置精度制备横截面样本，对于失效分析应用特别有效。
SIM图像的对比度特征
SIM图像的对比度具有以下三个特征。① 在晶体样品中，离子束的沟道现象产生反映晶体取向的强烈对比度（沟道对比度）。② 由于离子束比电子束更浅地穿透样品，因此可以观察到样品的最外层表面。③ 离子束产生二次电子的过程与电子束不同，导致其成分对比度与SEM图像不同。从上述特点来看，一般可以用SIM图像来获得高对比度图像，如图3中CCD传感器横截面的SIM图像和SEM图像的比较所示。
图3 CCD传感器FIB截面观察图像
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