天游线路检测中心 UHV-SEM 和 EBSD 的组合

EBSD（电子背散射衍射图案）与扫描电子显微镜 (SEM) 相结合，作为分析材料局部晶体取向的一种手段，迅速变得流行起来。 *有时缩写为 EBSP。通过将该EBSD与超高真空扫描电子显微镜（UHV-SEM）相结合，可以更有效地观察晶体取向。
EBSD的测量深度据说约为50nm。下表将其与表面分析方法和 EPMA/EDS 进行了比较。

	表面分析法 （AES、XPS 等）	EBSD	EPMA、EDS
测量深度（纳米）	5	50	1000
污染的影响	大	中	小
样品室所需的真空度	需要超高真空 ～10-8帕	高真空优先 ～10-7帕	通常真空就可以了 10-6～10-5帕

EBSD在测量深度方面可以说是接近表面分析的方法。因此，如果样品表面存在大量污染，衍射图样就会恶化，EBSD 图像中的晶界将不清晰。

随着观察放大倍数的增加，污染变得更加明显。这是因为照射的电子束的电流密度增加。此外，镁合金、稀土金属和多晶硅薄膜等化学活性材料特别容易受到污染。


俄歇电子能谱仪JAMP-9500F和JAMP-7800系列的基本部分是UHV-SEM，样品室和电子枪室为10个^-8Pa量级的超高真空。此外，附带的离子蚀刻装置可以去除已经附着在样品表面的污染物。

如果将 EBSD 附加到此，您可以避免污染的影响，并期望能够获得任何样品的高放大倍数 EBSD 图像。
此外，通过将俄歇分析与该方法结合使用，可以了解晶界处的元素分布，从而可以扩展为综合分析方法。

为了满足这些要求，图1显示了为JAMP-7800系列设计的样品室的外观，图2显示了横截面。
该样品室的一个特点是，如图2所示，俄歇分析光谱仪和EBSD检测器都安装在样品台倾斜的方向上。通过这种布置，只需改变样品台的倾斜角度（俄歇分析约为 30 度，EBSD 约为 70 度），就可以在保持固定在与待分析视场相同的位置的同时进行俄歇和 EBSD 分析。

图1 带EBSD端口的样品室外观照片

图 2 带 EBSD 端口的样品室横截面