UHV-SEM 和 天游8线路检测中心 的组合
天游8线路检测中心 (Electron Backscatter Diffraction Pattern) is rapidly becoming popular in combination with scanning electron microscopy (SEM) as a means of analyzing the local crystal orientation of materials *有时缩写为 EBSP。 By combining this 天游8线路检测中心 with an ultra-high vacuum scanning electron microscope (UHV-SEM), it has become possible to observe crystal orientation more effectively
天游8线路检测中心（电子背散射衍射图案）与扫描电子显微镜 (SEM) 相结合，作为分析材料局部晶体取向的一种手段，迅速变得流行起来。 *有时缩写为 EBSP。通过将该天游8线路检测中心与超高真空扫描电子显微镜（UHV-SEM）相结合，可以更有效地观察晶体取向。天游8线路检测中心的测量深度据说约为50nm。下表将其与表面分析方法和 EPMA/EDS 进行了比较。
天游8线路检测中心在测量深度方面可以说是接近表面分析的方法。因此，如果样品表面存在大量污染，衍射图样就会恶化，天游8线路检测中心 图像中的晶界将不清晰。
随着观察放大倍数的增加，污染变得更加明显。这是因为照射的电子束的电流密度增加。此外，镁合金、稀土金属和多晶硅薄膜等化学活性材料特别容易受到污染。
俄歇电子能谱仪JAMP-9500F和JAMP-7800系列基本都是UHV-SEM，样品室和电子枪室都是10个-8Pa量级的超高真空。此外，附带的离子蚀刻装置可以去除已经附着在样品表面的污染物。
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表面分析法
（AES、XPS 等）
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天游8线路检测中心 | EPMA、EDS | |
|---|---|---|---|
| 测量深度（nm） | 5 | 50 | 1000 |
| 污染的影响 | 大 | 中 | 小 |
| 样品室所需的真空度 |
需要超高真空
～10-8帕
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高真空优先
～10-7Pa
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通常真空就可以了
10-6～10-5帕
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俄歇电子能谱仪JAMP-9500F和JAMP-7800系列基本都是UHV-SEM，样品室和电子枪室都是10个-8Pa量级的超高真空。此外，附带的离子蚀刻装置可以去除已经附着在样品表面的污染物。如果将 天游8线路检测中心 附加到此，您可以避免污染的影响，并期望能够获得任何样品的高放大倍数 天游8线路检测中心 图像。此外，通过将俄歇分析与该方法结合使用，可以了解晶界处的元素分布，从而可以扩展为综合分析方法。
为了满足这些要求，图1显示了为JAMP-7800系列设计的样品室的外观，图2显示了横截面。A feature of this sample chamber is that, as shown in Figure 2, both the Auger analysis spectrometer and the 天游8线路检测中心 detector are installed in the direction in which the sample stage is tilted With this arrangement, by simply changing the tilt angle of the sample stage (approximately 30 degrees for Auger analysis and 70 degrees for 天游8线路检测中心), Auger and 天游8线路检测中心 analyzes can be performed while remaining fixed at the same location as the field of view to be analyzed
图1 带天游8线路检测中心端口的样品室外观照片
图 2 带 天游8线路检测中心 端口的样品室横截面
