天游线路检测中心 AES 中的绝缘子样品分析

俄歇电子能谱（AES）能够分析距最外表面约6 nm的极浅区域，如果聚焦用作探针的电子束的束直径，则可以分析约100 nm的表面积。²中的元素成为可能。然而，这种诱人的性能仅限于导体样品的分析，并且在绝缘体样品的分析中，由于充电现象，很难观察到二次电子图像。
但是，这并不一定意味着不能对绝缘体样品进行俄歇分析。事实上，如果您有一定的知识和经验，则可以使用样品倾斜法在抑制带电的同时对绝缘样品进行俄歇分析，并且根据绝缘样品的状况，甚至可以对直径为 1 μm 以下的微小分析点进行高空间分辨率的俄歇分析。
特别是，自从引入了可照射约10至30 eV的慢速Ar离子以抑制带电的“Ar中和枪”后，可以相对容易地控制样品表面的带电量，并且AES分析对绝缘体样品的应用范围显着扩大。