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高功率天游8线路检测中心束源

线性天游8线路检测中心枪是在真空中产生数十至数百千瓦高功率天游8线路检测中心束的天游8线路检测中心束源。用于宽长薄膜和大面积基材的真空沉积,或用于高熔点金属的真空熔化。这里我们将讨论线性天游8线路检测中心枪的结构、特点和应用。

1结构

线性天游8线路检测中心枪采用如下图1所示的天游8线路检测中心光学系统。

 

(1) 辐照系统:由灯丝、阴极、Wehnelt 和阳极组成
(2)成像系统:第一透镜和第二透镜组成
(3)扫描系统:由X、Y扫描线圈组成

 
图1 线性天游8线路检测中心枪天游8线路检测中心光学系统示意图
图1 线性天游8线路检测中心枪天游8线路检测中心光学系统示意图
(*30kW型无中间室,只有1个排气口,成像系统只有1个镜头)


照射系统采用轰击法。轰击法通过加热灯丝产生热天游8线路检测中心,灯丝加热阴极并从阴极产生天游8线路检测中心束。这种轰击方法具有以下优点:

(1)可以获得高电流密度的梁
(2)从阴极表面发射有利于聚焦天游8线路检测中心束
(3) 圆盘形阴极不易受到离子轰击,寿命长

此外,通过将灯丝和阴极统一为栅极组件,简化了定位并提高了可维护性。
成像系统具有使用第一透镜和第二透镜将光束聚焦在材料表面上的功能。
扫描系统使用X和Y扫描线圈在材料表面上进行光束扫描。
此外,为了避免受到真空室内压力的影响并获得稳定的发射输出,除了天游8线路检测中心枪室之外还设置了中间室,并进行差动泵浦。

2功能

21) 天游8线路检测中心束扫描控制

通过使用偏转控制装置:ST-500DC(H)(线性天游8线路检测中心枪的选配),可以在材料表面扫描各种天游8线路检测中心束。扫描控制参数包括图2所示的X方向的振幅(XA)、Y方向的振幅(YA)、校正天游8线路检测中心枪的X轴、Y轴以及样品上的X轴、Y轴的旋转(X-ROT、Y-ROT)以及停留时间(DT)。

图2 线性天游8线路检测中心枪扫描控制参数
图2 线性天游8线路检测中心枪扫描控制参数


作为扫描的示例,可以有各种扫描,例如如图3所示的行扫描、在线扫描中添加X-ROT的扫描、以及在线扫描中添加YA的扫描。通过这样的扫描,可以对材料表面进行均匀加热,或者相反,可以通过改变照射位置和停留时间比来修正成膜时的膜厚​​分布。

图。 3 使用JEBG-3000UB天游8线路检测中心枪扫描示例
线扫描
线扫描加 X-ROT
线扫描加 YA
图。 3 使用JEBG-3000UB天游8线路检测中心枪扫描示例
 

22) 使用 90 度偏转线圈的室布局

90度偏转线圈可以使线性天游8线路检测中心枪输出的天游8线路检测中心束偏转。当将线性天游8线路检测中心枪安装在腔室中时,根据布局,天游8线路检测中心束可能斜向照射到材料表面。在这种情况下,材料表面上的天游8线路检测中心束直径可能会扩大,电流密度可能会降低。通过使用90度偏转线圈,天游8线路检测中心束可以以更高的角度入射,并且可以抑制电流密度的下降。
图4示出了使用90度偏转线圈的安装示例。通过将其与 90 度偏转线圈组合,可以将其固定在腔室的侧面。
此外,也可以并联使用天游8线路检测中心枪,如图4所示,这对于在广泛的薄膜上进行沉积是有效的。

图4 使用90度偏转线圈的室布局示例
图4 使用90度偏转线圈的室布局示例

3。目的

31) 真空沉积

天游8线路检测中心束沉积是一种能量转换效率高(将天游8线路检测中心束输出转换为热能)的过程。薄膜是通过在真空中直接蒸发材料并将蒸气颗粒沉积到基材或薄膜上而形成的。天游8线路检测中心束具有高功率密度(例如104~105瓦/厘米2),可以沉积高熔点金属和高熔点氧化物。由于线性天游8线路检测中心枪的高输出,可以以每秒超过1μm的高速成膜。另外,由于直接加热材料表面(蒸发面),因此可以对坩埚进行水冷,避免坩埚内壁材料的污染。此外,由于可以控制光束输出、位置和停留时间,因此可以调整膜厚度分布并实现高质量的成膜过程。
(*电阻加热和感应加热是间接加热坩埚,可能会污染坩埚材料或发生化学反应。而且,瞬时温度控制较困难,因此不适合控制成膜速率。)

应用实例

  • 保护膜(等离子显示面板)
  • 阻隔膜(太阳能电池背板、包装材料)
  • 电极薄膜(锂离子电池、薄膜电容器)
  • 磁性薄膜(高密度记录磁带)
  • 导电膜(电磁屏蔽)
  • 全息图、转印箔

32) 真空熔化

天游8线路检测中心束加热由于束流聚焦强、能量密度高,可以将材料快速加热至高温,可用于熔化高熔点金属。当金属在真空中熔化时,其中所含的气体和杂质被蒸发并去除,从而使金属得到净化。也可以在一台熔炉中安装多支天游8线路检测中心枪,并分别使用材料供应部分、炉床部分和模具部分等照射区域。

应用实例

  • 太阳能电池用多晶硅熔炼
  • 熔化钛、钽、铌、钼等高熔点金属
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