天游线路检测中心 CP样品制备用保护膜

在使用 Cross Section Polisher™ (CP) 的样品制备方法中，通过用离子连续照射样品，在样品表面产生热量。

热量会导致样品损坏。保护膜在分散样品热量、减少损坏以及确保良好的样品制备方面发挥着重要作用。

需要保护膜的样品制备

• 热敏样品的处理

• 样品最外表面的处理*（镀层、涂膜等）

• 〜100μm

使用保护膜制备热敏样品时的热损伤比较
(加速电压：4 kV 处理时间：5 h 样品：橡胶塞)

如何使用

使用 CP 制备样品时，由于连续离子照射或样品再沉积产生的热量导致样品变形，因此可能无法观察到精细结构。在这种情况下，将硅板附着到样品表面并用离子照射它可以使热量逸出并防止样品变形。此外，通过填充屏蔽板和材料之间的间隙，可以防止样品重新粘附。
用于橡胶塞截面加工的示例如下所示。

用于 CP 样品制备的硅保护膜（P/N 781185629）是一组 10 个硅芯片（8 mm × 8 mm 200 μm），易于用于上述目的（右）。下面显示了用于处理卡片边缘的示例。

效果例1 保护样品最外表面（加速电压：6 kV）

效果示例2防止再沉积（加速电压：6kV）

零件清单