锇涂层系统Tennant20采用等离子体CVD沉积方法生产纯锇金属涂层。在等离子体CVD成膜方法中，将四氧化锇升华气体引入真空室中，并通过直流辉光放电将其变成等离子体。此时，腔室内部分为称为负辉光相区域和正柱区域的区域。正极柱区涂层是残留气体和不稳定锇离子共存的区域，因此形成的氧化锇膜易受电子束损伤，容易被破坏。相反，在阴极上的负辉光相区域，锇阳离子化气体分子集中并相互剧烈碰撞，形成纯锇金属导电膜。这使得可以形成坚固的非晶导电膜，即使它是极薄的膜，也不会被强电子束损伤所破坏。
功能
用户友好的控制面板
配备直观的控制面板，即使是初次使用的用户也可以轻松操作。
自动、手动操作模式选择
除自动模式外还配备手动模式，允许用户根据自己的目的和样品结构选择镀膜工艺。
无需充电即可形成超薄膜
锇导电涂层可以均匀地包裹在样品的顶部、侧面和底部表面，以及复杂结构的深处。
因此，形成了坚固的导电膜，即使在极薄的膜中也能抵抗电子束损坏而不会充电。
利用等离子体CVD法形成纯锇金属导电膜
等离子体CVD方法将四氧化锇升华气体引入真空室中，并通过直流辉光放电将其转化为等离子体。
此时，腔室内部被分为称为“正辉光柱区域”和“负辉光相区域”的区域。
扩大形成纯锇金属导电膜的“负辉光相区域”
在典型的平行板电极中，负极辉光相区域的高度浅至5mm，如果高度超过此，则在正极柱区域中将形成锇氧化膜。对于 Tennant20 和 Neoc，负发光相的高度已显着扩大至 20mm。
锇安瓿更换警报显示
在监视器上显示消耗品锇晶体的更换时间。通过操作面板的指示，可以轻松代替安装和拆卸工作。
安全专业的操作程序
我们加强了安全密码、自动排气顺序等措施，确保使用安全。
规格/选项
规格
| 型号 | 坦南特20 |
|---|---|
| 腔室尺寸 | φ150×70㎜ |
| 示例表可加载数量 | φ10mm×35片，φ15mm×10片，φ30mm×5片 |
| 贝尔贾 | 高气密O型圈型 |
| 泵容量 | 50ℓ/分钟 |
| 当前消耗 | 最大AC100V 10A（包括真空泵启动） |
| 机身尺寸 | 390(宽)×385(深)×435(高)毫米 |
功能规格
| 自动排气 | 用大气替换腔室内的气体（抽真空 30 秒/泵停止 10 秒 x 3 次） |
|---|---|
| 当前值设置 | 01至200mA（限制电流最大30mA） |
| 膜厚设置 | 00～300nm |
| 自动 | 输入膜厚值后，自动抽真空：~2Pa 充气：10秒 |
| 手册 | COAT时间、当前值、充气时间任意设定 |
| 弹出 | 强制排气：180秒 |
| 插入 | 强制排气：~2Pa |
| 完成 | 强制排气：~2Pa |
| 安瓿交换 | 强制排气：~2Pa + 30 分钟 |
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