天游线路检测中心 Kobelco 科学研究所 x JEOL 联合主办的网络研讨会介绍半导体领域的分析技术
发布日期：2023/12/18
Kobelco Research Institute, Inc 和 天游线路检测中心 将联合举办有关半导体领域分析技术的网络研讨会。
在半导体领域，为了降低功耗、小型化、提高性能，SiC、GaN等新材料以及三维封装等新器件结构受到关注。为了准确地分析这些材料和结构，根据目的选择合适的预处理和方法以及分析设备和分析技术的配合非常重要。在本次研讨会中，我们将通过四个案例来介绍其本质。
我们希望您考虑参加，因为这些内容对于引入新设备、利用现有设备以及外包给专业制造商等请求很有用。
本次研讨会将在线举行。只要您可以连接到网络，您不仅可以通过计算机参与，还可以通过智能手机或平板电脑参与。
我们期待您的参与。
联合主办：神钢综合研究所、日本电子
日期/地点
日期：2024 年 2 月 22 日星期四 14:00-16:00
参与费
免费
程序
| 时间 | 标题摘要 | 扬声器 |
|---|---|---|
| 14:00～14:30 | 先进封装封装评估分析技术介绍 实际半导体的小型化极限正在逼近，为了实现更高的性能，芯片垂直堆叠的 3D 安装和 2xD 安装（称为小芯片技术）被认为是必不可少的，其中各种芯片在平面方向上组合和安装。这些封装技术将多个芯片与高密度布线相结合，颠覆了后处理的传统概念，并集成了封装的前处理技术。涉及电气和热约束，并使用各种键合技术来确保可靠性。这次，我们将介绍一种可以用来评估此类包装的方法，从打开包装到评估各种接头。 | 中本大成神钢科学研究有限公司技术总部物理分析中心分析部关门分析室 |
| 14:30～15:00 | 宏观尺度联合分析技术简介 随着安装结构的小型化和复杂化，针对局部区域的精细加工和评估正在不断进步，但在许多情况下，即使在宏观接头中，应力也会局部施加，导致部件内部结构发生极大的变化。为了评估这种不均匀零件的结构，需要具有宽范围和高分辨率，这是一般难以同时达到的条件。这次，我们想介绍我们的菜单和技术，重点介绍EBSD方法，该方法已被确定为金属等结晶材料微观结构评估不可或缺的方法，以及超声波焊接部件的广域评估案例研究，该方法是充分利用神钢综合研究所在样品处理技术方面的优势进行的。 | 库内埃里卡神钢科学研究有限公司技术总部物理分析中心分析部藤泽分析室 |
| 15:00～15:40 | 扫描电子显微镜 (SEM) - 通过阴极发光 (CL) 分析化合物半导体 GaN和SiC晶圆是大带隙化合物半导体，是制造功率半导体器件的关键部件。特别是，功率半导体器件迫切需要合成位错缺陷很少的高质量GaN和SiC晶圆，并且分析这些缺陷的方法也在考虑之中。光致发光 (PL) 分析通常用于分析 GaN 和 SiC 等化合物半导体中的表面位错缺陷。然而，PL方法的空间分辨率约为数百纳米，因此难以掌握纳米级高密度化合物半导体中的微小位错缺陷。另一方面，扫描电子显微镜 (SEM)-阴极发光 (CL) 分析可以检测小于 50 nm 的缺陷。在本次演讲中，我们将介绍SEM-CL的原理及其应用。 | 朝比奈俊介日本电子有限公司扫描事业部扫描规划办公室申请规划组 |
| 15:40～16:00 | 从 TEM 样品薄片制备到简单的 STEM/TEM 观察 FIB-SEM 作为 TEM 的样品制备装置是必不可少且广泛使用的。 FIB-SEM 与 TEM 的配合非常重要，并且希望能够以更少的步骤将样品传输到两者。我们的 FIB-SEM 不仅可以制备高质量的 TEM 样品，而且还采用了双轴倾斜的卡盒，可以轻松将样品运输到 TEM，可以容纳大型样品的样品室，以及可以大幅度倾斜的载物台，以实现更灵活的 FIB 处理方向。在本次演示中，我们将介绍这些功能如何轻松制备高质量样品的示例。 | 河野一郎日本电子有限公司科学与测量仪器销售部SI技术促销1组 |
计划可能会发生变化。感谢您的理解。
演示材料
您可以在讲座结束后填写调查问卷来下载。
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